发光二极管封装结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910007366.0

申请日：

2009-02-17

公开(公告)号：

CN101807631A

公开(公告)日：

2010-08-18

发明(设计)人：

陈锦庆

申请人：

申请人地址：

中国台湾台北县土城市

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汤保平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-08-18	公开	公开
2012-02-01	授权	授权
2010-10-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101006686403 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2009100073660 申请日:20090217
2019-02-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20090217 授权公告日:20120201 终止日期:20180217

共 50 条

[1]

发光二极管封装结构及其制作方法 [P].

陈明鸿 ;

温士逸 ;

郭武政 ;

陈炳儒 ;

翁瑞坪 ;

李孝文 .

中国专利 :CN100382344C ,2006-07-12

[2]

发光二极管封装结构及其制作方法 [P].

张正宜 .

中国专利 :CN102157661A ,2011-08-17

[3]

发光二极管封装结构及其制作方法 [P].

戴明吉 ;

刘君恺 ;

余致广 .

中国专利 :CN100524864C ,2008-01-16

[4]

发光二极管封装结构及其制作方法 [P].

辛嘉芬 .

中国专利 :CN101834235B ,2010-09-15

[5]

发光二极管封装结构及其制作方法 [P].

林咸嘉 .

中国专利 :CN102447046A ,2012-05-09

[6]

发光二极管封装结构及其制作方法 [P].

蔡曜骏 ;

许镇鹏 ;

李兆伟 ;

胡鸿烈 .

中国专利 :CN101533884B ,2009-09-16

[7]

发光二极管封装结构及其制作方法 [P].

黄建中 ;

吴志明 ;

黄同伯 .

中国专利 :CN104465968A ,2015-03-25

[8]

发光二极管封装结构及其制作方法 [P].

叶寅夫 ;

潘科豪 .

中国专利 :CN107293536A ,2017-10-24

[9]

发光二极管封装结构及其制作方法 [P].

赵自皓 .

中国专利 :CN101840973A ,2010-09-22

[10]

发光二极管封装结构及其制作方法 [P].

叶寅夫 ;

潘科豪 .

中国专利 :CN103489984B ,2014-01-01

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