p型透明导电SnO2半导体薄膜及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010934605.3

申请日：

2020-09-08

公开(公告)号：

CN112210755B

公开(公告)日：

2021-01-12

发明(设计)人：

何云斌黎明锴付旺叶盼刘博涵肖兴林魏浩然尹魏玲卢寅梅常钢

申请人：

申请人地址：

430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号

IPC主分类号：

C23C1408

IPC分类号：

C23C1428 C23C1458

代理机构：

北京金智普华知识产权代理有限公司 11401

代理人：

杨采良

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-12	公开	公开
2021-01-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/08 申请日:20200908
2022-02-22	授权	授权

共 50 条

[1]

SnO2(Cu)单晶薄膜及其制备方法和应用 [P].

何云斌 ;

黎明锴 ;

刘凤新 ;

卢寅梅 ;

陈剑 ;

尹向阳 ;

郭启利 ;

李永昌 ;

刘伟 ;

邓云 .

中国专利 :CN114134569A ,2022-03-04

[2]

氮掺杂p型透明导电BeZnOS薄膜及其制备方法和应用 [P].

何云斌 ;

汪洋 ;

黎明锴 ;

李磊 ;

卢寅梅 ;

尹魏玲 ;

李派 ;

常钢 ;

陈俊年 ;

尹向阳 ;

郭启利 ;

李永昌 .

中国专利 :CN112195438A ,2021-01-08

[3]

p型导电Sb掺杂SnO2薄膜和含有该薄膜的氧化锡同质pn结及其制备方法 [P].

赵修建 ;

倪佳苗 ;

耿硕麒 ;

刘启明 .

中国专利 :CN102586748A ,2012-07-18

[4]

一种P型SnO2薄膜的制备方法 [P].

何春清 ;

徐文武 ;

吕术亮 ;

周亚伟 ;

尹崇山 ;

李静静 ;

张笑维 .

中国专利 :CN106756812B ,2017-05-31

[5]

AZO透明导电薄膜及其制备方法和应用 [P].

刘荣跃 ;

丁庆 ;

冯军正 ;

杨旻蔚 ;

张翠 ;

许奔 ;

孙竹 .

中国专利 :CN108493299A ,2018-09-04

[6]

p型透明氧化物半导体CuCrO2薄膜材料的制备方法 [P].

张铭 ;

赵学平 ;

董国波 ;

李杨超 ;

严辉 ;

王波 ;

宋雪梅 ;

王如志 ;

侯育东 ;

汪浩 .

中国专利 :CN101355031A ,2009-01-28

[7]

透明导电薄膜及其制备方法和应用 [P].

黄新东 ;

刘天人 .

中国专利 :CN104376895A ,2015-02-25

[8]

透明导电薄膜及其制备方法和应用 [P].

朱佩 ;

向超宇 ;

钱磊 ;

张滔 ;

李乐 .

中国专利 :CN110660926B ,2020-01-07

[9]

一种超宽禁带p型SnO2薄膜及其制备方法 [P].

何云斌 ;

黎明锴 ;

付旺 ;

叶盼 ;

肖兴林 ;

魏浩然 ;

尹魏玲 ;

卢寅梅 ;

常钢 .

中国专利 :CN111910158B ,2020-11-10

[10]

一种Fe掺杂GZO透明导电薄膜及其制备方法和应用 [P].

毕梦雪 ;

姚彦 ;

孙徕博 ;

黄陆军 ;

耿林 ;

孙枫泊 ;

鲁伟航 ;

张昕 ;

宋鑫 .

中国专利 :CN120400780A ,2025-08-01

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