晶硅太阳能电池及晶硅太阳能电池边缘刻蚀的方法

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专利类型
发明
申请号
CN201210017809.6
申请日
2012-01-19
公开(公告)号
CN102593241A
公开(公告)日
2012-07-18
发明(设计)人
陈剑辉 赵文超 王建明 陈迎乐 王子谦 沈燕龙 李高非 胡志岩 熊景峰
申请人
申请人地址
071051 河北省保定市朝阳北大街3399号
IPC主分类号
H01L3118
IPC分类号
C30B3312
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
逯长明
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
晶硅太阳能电池 [P]. 
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