真空微电子电场传感器

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专利类型
发明
申请号
CN01115635.X
申请日
2001-04-28
公开(公告)号
CN1162714C
公开(公告)日
2002-12-11
发明(设计)人
夏善红
申请人
申请人地址
100080北京市海淀区中关村路17号
IPC主分类号
G01R2900
IPC分类号
G01R2912
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司
代理人
戎志敏
法律状态
专利权的终止未缴年费专利权终止
国省代码
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共 50 条
[1]
真空微电子压力传感器 [P]. 
温志渝 ;
温中泉 ;
张正元 .
中国专利 :CN2537008Y ,2003-02-19
[2]
真空微电子气体传感器 [P]. 
刘锦淮 ;
张耀华 ;
李明强 ;
张正勇 ;
焦正 ;
张蓉 .
中国专利 :CN2282680Y ,1998-05-27
[3]
一种精度高的真空微电子电场传感器 [P]. 
向美华 .
中国专利 :CN113419117B ,2021-09-21
[4]
一种精度高的真空微电子电场传感器 [P]. 
陆鹏飞 ;
王卫利 ;
高莉华 .
中国专利 :CN120928055A ,2025-11-11
[5]
真空微电子压力传感器 [P]. 
徐世六 ;
温志渝 ;
毛立龙 .
中国专利 :CN101762356A ,2010-06-30
[6]
真空微电子加速度传感器 [P]. 
温志渝 ;
温中泉 .
中国专利 :CN1250972C ,2004-11-10
[7]
集成真空微电子触觉传感器阵列 [P]. 
温志渝 ;
江永清 ;
何清义 ;
吕果林 ;
林鹏 ;
蒋子平 .
中国专利 :CN1297145A ,2001-05-30
[8]
台阶阵列阴极真空微电子压力传感器 [P]. 
夏善红 .
中国专利 :CN1057384C ,1997-03-05
[9]
真空微电子多功能传感器及制备方法 [P]. 
夏善红 ;
苏杰 .
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[10]
一种真空微电子压力传感器 [P]. 
强俊 ;
阜稳稳 ;
孔智慧 ;
陈恩涛 ;
盛周璇 ;
彭壮 ;
李远洋 .
中国专利 :CN107588871B ,2018-01-16