一种用于STT-MRAM中的写电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110260221.2

申请日：

2021-03-10

公开(公告)号：

CN112863567A

公开(公告)日：

2021-05-28

发明(设计)人：

程学农李学明姜岩峰张光军

申请人：

申请人地址：

214135 江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座D幢1005室

IPC主分类号：

G11C1116

IPC分类号：

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

殷红梅;陈丽丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/16 申请日:20210310
2021-05-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种用于STT-MRAM中的写电路 [P].

程学农 ;

李学明 ;

姜岩峰 ;

张光军 .

中国专利 :CN112863567B ,2024-07-16

[2]

一种用于STT-MRAM中的写电路 [P].

程学农 ;

李学明 ;

姜岩峰 ;

张光军 .

中国专利 :CN214377681U ,2021-10-08

[3]

一种应用于STT-MRAM的写验证电路 [P].

姜岩峰 ;

成关壹 .

中国专利 :CN113990366B ,2025-11-04

[4]

一种应用于STT-MRAM的写验证电路 [P].

姜岩峰 ;

成关壹 .

中国专利 :CN113990366A ,2022-01-28

[5]

一种用于STT-MRAM中的读写控制电路 [P].

程学农 ;

李学明 ;

姜岩峰 ;

张光军 .

中国专利 :CN112767981A ,2021-05-07

[6]

一种用于STT-MRAM中的读写控制电路 [P].

程学农 ;

李学明 ;

姜岩峰 ;

张光军 .

中国专利 :CN112767981B ,2024-07-16

[7]

一种用于STT-MRAM中的读写控制电路 [P].

程学农 ;

李学明 ;

姜岩峰 ;

张光军 .

中国专利 :CN214377680U ,2021-10-08

[8]

一种STT-MRAM的双端自检写电路及数据写入方法 [P].

刘冬生 ;

陆家昊 ;

李豪 ;

严进 ;

刘波 ;

金子睿 ;

喻红梅 ;

鄢奉赜 .

中国专利 :CN110993001A ,2020-04-10

[9]

一种高可靠实时自中断STT-MRAM写电路 [P].

曹安妮 ;

李鑫 ;

曹炜亦 ;

王亮 ;

赵元富 .

中国专利 :CN118748028A ,2024-10-08

[10]

STT-MRAM中的字线电压控制 [P].

杨赛森 ;

迈赫迪·哈米迪·萨尼 ;

升·H·康 .

中国专利 :CN102203870A ,2011-09-28

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