一种氧化钨量子点电致变色电极的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910625433.9

申请日：

2019-07-11

公开(公告)号：

CN110330056B

公开(公告)日：

2019-10-15

发明(设计)人：

高彦峰姚勇吉赵起

申请人：

申请人地址：

200444 上海市宝山区上大路99号

IPC主分类号：

C01G4102

IPC分类号：

C03C1734 C08J706 G02F1155 C08L6702

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

曹芳玲;郑优丽

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-20	授权	授权
2019-10-15	公开	公开
2019-11-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 41/02 申请日:20190711

共 50 条

[1]

一种氧化钨电致变色电极的制备方法 [P].

王宏志 ;

谢昌嵩 ;

李策 ;

李然 ;

张青红 ;

侯成义 ;

林改 .

中国专利 :CN108663868A ,2018-10-16

[2]

一种氧化钨电致变色薄膜的制备方法 [P].

杨晔 ;

赵文凯 ;

宋伟杰 ;

兰品军 ;

李佳 .

中国专利 :CN110642526A ,2020-01-03

[3]

一种氧化钨量子点材料的制备方法 [P].

高彦峰 ;

姚勇吉 ;

赵起 .

中国专利 :CN110240902A ,2019-09-17

[4]

多孔氧化钨电致变色薄膜及其制备方法 [P].

姚爱华 ;

宋艳玲 .

中国专利 :CN113264690B ,2021-08-17

[5]

一种纳米氧化钨电致变色薄膜的制备方法 [P].

邹友生 ;

窦康 ;

曾海波 ;

王沙龙 ;

董宇航 .

中国专利 :CN105366954B ,2016-03-02

[6]

长寿命宽波段氧化钨电致变色薄膜及其制备方法和应用 [P].

刘涌 ;

程子强 ;

赵方园 ;

孙梦涛 ;

周昼 ;

曾宇 ;

韩高荣 .

中国专利 :CN116449622B ,2025-07-11

[7]

一种有序结构可控的氧化钨电致变色薄膜的制备方法 [P].

李垚 ;

赵英明 ;

张翔 ;

赵九蓬 ;

李文杰 ;

张虎林 .

中国专利 :CN113943928A ,2022-01-18

[8]

一种微结构电致变色氧化钨薄膜的制备方法 [P].

彭寿 ;

汤永康 ;

沈洪雪 ;

李刚 ;

甘治平 ;

王晶 ;

马俊 .

中国专利 :CN117417130A ,2024-01-19

[9]

一种三氧化钨纳米阵列电致变色薄膜及其制备方法 [P].

王秀丽 ;

蔡国发 ;

周鼎 ;

谷长栋 ;

涂江平 .

中国专利 :CN103395842A ,2013-11-20

[10]

一种氧化钨纳米带结构电致变色薄膜的制备方法 [P].

王金敏 ;

马董云 ;

李太良 ;

刘爽 ;

李菲 .

中国专利 :CN107188236A ,2017-09-22

← 1 2 3 4 5 →