一种模拟神经突触的无机-有机/无机杂化双层纳米薄膜忆阻器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910156030.4

申请日：

2019-03-01

公开(公告)号：

CN109904316A

公开(公告)日：

2019-06-18

发明(设计)人：

李爱东刘畅曹燕强吴迪

申请人：

申请人地址：

210023 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号

IPC主分类号：

H01L5105

IPC分类号：

H01L5140 B82Y1000

代理机构：

江苏圣典律师事务所 32237

代理人：

贺翔

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-18	公开	公开
2019-07-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/05 申请日:20190301

共 50 条

[1]

一种模拟神经突触和伤害感受器的无机-有机杂化薄膜忆阻器及其制备方法 [P].

李爱东 ;

马英杰 ;

孙松 ;

吴迪 .

中国专利 :CN120225045A ,2025-06-27

[2]

一种模拟神经突触的超低能耗柔性薄膜忆阻器及其制备方法 [P].

李爱东 ;

刘畅 ;

雷锦 ;

吴迪 .

中国专利 :CN112599664A ,2021-04-02

[3]

一种基于氨基酸的有机-无机杂化纳米薄膜突触类忆阻器及其制备方法 [P].

李爱东 ;

朱琳 ;

孙松 ;

张楚怡 ;

黎微明 ;

吴迪 .

中国专利 :CN118510379A ,2024-08-16

[4]

一种无机-有机杂化纳米序构薄膜忆阻器及其制备方法 [P].

李爱东 ;

朱琳 ;

孙松 ;

张楚怡 ;

吴迪 .

中国专利 :CN121099903A ,2025-12-09

[5]

一种无机-有机杂化纳孔薄膜阻变存储器及其制备方法 [P].

李爱东 ;

孙松 ;

雷锦 ;

刘畅 ;

吴迪 .

中国专利 :CN116261394B ,2025-05-23

[6]

一种模拟神经突触的无机-有机杂化纳米薄膜光电器件及其制备方法 [P].

李爱东 ;

孙松 ;

张帅 ;

王晨 ;

朱琳 ;

吴迪 .

中国专利 :CN118829239A ,2024-10-22

[7]

一种有机无机杂化光电神经突触器件及其制备方法 [P].

陈琳 ;

孟佳琳 ;

王天宇 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN115084381A ,2022-09-20

[8]

有机/无机杂化薄膜及其制备方法 [P].

M·M·宋 ;

K·S·韩 .

中国专利 :CN105745353B ,2016-07-06

[9]

有机无机杂化纳米薄膜阻变存储器的制备方法 [P].

黄仕华 ;

金日升 ;

李兴达 ;

李林华 .

中国专利 :CN111009611B ,2020-04-14

[10]

一种纳米薄膜忆阻器及其制备方法 [P].

李爱东 ;

王来国 ;

吴迪 .

中国专利 :CN106206944A ,2016-12-07

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