一种单粒子效应多位翻转的电路仿真方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610051734.1
申请日
2016-01-26
公开(公告)号
CN106997402A
公开(公告)日
2017-08-01
发明(设计)人
郑云龙 桑泽华 林敏 杨根庆 邹世昌
申请人
申请人地址
200050 上海市长宁区长宁路865号
IPC主分类号
G06F1750
IPC分类号
代理机构
上海光华专利事务所 31219
代理人
罗泳文
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种基于电路仿真的单粒子翻转效应判别方法 [P]. 
王颖 ;
蔡震波 ;
张庆祥 ;
赵小宇 .
中国专利 :CN104881519B ,2015-09-02
[2]
单粒子效应电路仿真中考虑节点电压动态变化的建模方法 [P]. 
丁李利 ;
陈伟 ;
王坦 ;
张凤祁 ;
罗尹虹 ;
郭晓强 ;
王勋 ;
潘霄宇 ;
王定洪 ;
赵雯 .
中国专利 :CN110909517A ,2020-03-24
[3]
一种电路级单粒子效应仿真平台 [P]. 
吴汉鹏 ;
李建波 ;
徐长卿 ;
刘毅 ;
杨银堂 .
中国专利 :CN108363894A ,2018-08-03
[4]
基于器件级与电路级相结合的微系统单粒子效应仿真方法 [P]. 
薛玉雄 ;
田佳玉 ;
曹荣幸 ;
刘艳 ;
吕贺 ;
梅博 ;
王鹏 ;
曹小雪 .
中国专利 :CN118297018A ,2024-07-05
[5]
一种FDSOI器件热载流子效应与单粒子效应的耦合仿真方法 [P]. 
刘红侠 ;
严展鹏 ;
王树龙 ;
陈树鹏 ;
刘昌 ;
赵军伟 .
中国专利 :CN120611578A ,2025-09-09
[6]
一种基于HSPICE和weibull函数的SRAM单粒子加固电路仿真方法 [P]. 
刘红侠 ;
刘长俊 ;
王树龙 ;
陈树鹏 .
中国专利 :CN116167308B ,2025-08-08
[7]
单粒子效应电路仿真中考虑有源区形状尺寸影响的建模方法 [P]. 
丁李利 ;
陈伟 ;
王坦 ;
张凤祁 ;
罗尹虹 ;
郭晓强 ;
王勋 ;
潘霄宇 ;
王定洪 ;
赵雯 .
中国专利 :CN110909516A ,2020-03-24
[8]
一种模拟单粒子脉冲长尾效应的建模方法 [P]. 
郑云龙 ;
林敏 .
中国专利 :CN105608292A ,2016-05-25
[9]
一种SRAM型FPGA单粒子翻转效应仿真方法 [P]. 
祝名 ;
张磊 ;
罗磊 ;
于庆奎 ;
孙毅 ;
唐民 .
中国专利 :CN103577643B ,2014-02-12
[10]
单粒子效应仿真方法及装置 [P]. 
张雪亮 .
中国专利 :CN114611444A ,2022-06-10