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SiC基复相陶瓷及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201711460400.0
申请日
:
2017-12-28
公开(公告)号
:
CN109020552A
公开(公告)日
:
2018-12-18
发明(设计)人
:
刘荣军
孙海侠
贺鹏博
曹英斌
王衍飞
郭棒
申请人
:
申请人地址
:
410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号
IPC主分类号
:
C04B35573
IPC分类号
:
C04B35622
C04B35634
代理机构
:
湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008
代理人
:
张鲜
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-06-25
授权
授权
2019-01-11
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/573 申请日:20171228
2018-12-18
公开
公开
共 50 条
[1]
SiC基复相陶瓷及其制备方法
[P].
刘荣军
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刘荣军
;
黄禄明
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黄禄明
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王衍飞
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王衍飞
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曹英斌
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曹英斌
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贺鹏博
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贺鹏博
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万帆
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万帆
;
张长瑞
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张长瑞
.
中国专利
:CN106747455A
,2017-05-31
[2]
SiC陶瓷基热弯模具及其制备方法
[P].
刘荣军
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刘荣军
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孙海侠
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孙海侠
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贺鹏博
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贺鹏博
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王衍飞
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王衍飞
;
缪花明
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缪花明
.
中国专利
:CN108752002B
,2018-11-06
[3]
一种氧化锆基复相陶瓷及其制备方法
[P].
杨正方
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杨正方
;
袁启明
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袁启明
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李金有
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李金有
.
中国专利
:CN1793032A
,2006-06-28
[4]
高导热氮化铝基复相陶瓷的制备方法
[P].
王春青
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王春青
;
朱建东
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朱建东
;
温广武
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温广武
.
中国专利
:CN103626497A
,2014-03-12
[5]
一种HfC-SiC复相陶瓷基复合材料及其制备方法
[P].
梅敏
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机构:
航天材料及工艺研究所
航天材料及工艺研究所
梅敏
;
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机构:
李军平
;
房金铭
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航天材料及工艺研究所
航天材料及工艺研究所
房金铭
;
孙新
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航天材料及工艺研究所
航天材料及工艺研究所
孙新
;
李钰梅
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航天材料及工艺研究所
航天材料及工艺研究所
李钰梅
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李俊宁
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航天材料及工艺研究所
航天材料及工艺研究所
李俊宁
;
王金明
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航天材料及工艺研究所
航天材料及工艺研究所
王金明
;
耿琼
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航天材料及工艺研究所
航天材料及工艺研究所
耿琼
;
逄锦程
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航天材料及工艺研究所
航天材料及工艺研究所
逄锦程
;
胡继东
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航天材料及工艺研究所
航天材料及工艺研究所
胡继东
.
中国专利
:CN115849910B
,2025-01-17
[6]
SiC陶瓷基复合材料构件及其制备方法
[P].
刘荣军
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刘荣军
;
黄禄明
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黄禄明
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曹英斌
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曹英斌
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贺鹏博
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贺鹏博
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王衍飞
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王衍飞
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孙海侠
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孙海侠
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张长瑞
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张长瑞
.
中国专利
:CN106830970A
,2017-06-13
[7]
一种SiC基复相陶瓷固化体的制备方法
[P].
滕元成
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滕元成
;
王文
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王文
;
曹雪
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曹雪
;
吴浪
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吴浪
.
中国专利
:CN110423120A
,2019-11-08
[8]
赛隆复相陶瓷及制备方法
[P].
王佩玲
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王佩玲
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王浩
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王浩
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孙维莹
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孙维莹
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庄汉锐
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庄汉锐
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严东生
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严东生
.
中国专利
:CN1142478A
,1997-02-12
[9]
超高温HfC-SiC复相陶瓷及其制备方法
[P].
杨泰生
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杨泰生
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胡利明
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胡利明
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刘海林
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刘海林
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陈玉峰
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陈玉峰
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唐婕
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唐婕
.
中国专利
:CN108689714A
,2018-10-23
[10]
一种B4C/SiC晶须/SiC复相陶瓷基复合材料及其制备方法
[P].
高明霞
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高明霞
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巫红燕
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巫红燕
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潘颐
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潘颐
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潘洪革
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潘洪革
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刘永锋
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刘永锋
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朱丹
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朱丹
.
中国专利
:CN102219536A
,2011-10-19
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