生长在Si衬底上的AlGaN薄膜及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410255449.2

申请日：

2014-06-10

公开(公告)号：

CN104037282A

公开(公告)日：

2014-09-10

发明(设计)人：

李国强

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

H01L3312 C30B2522 C30B2940

代理机构：

广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288

代理人：

汤喜友

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587398289 IPC(主分类):H01L 33/02 专利申请号:2014102554492 申请日:20140610
2014-09-10	公开	公开
2017-03-08	授权	授权

共 50 条

[1]

一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN104037285B ,2014-09-10

[2]

一种生长在Si衬底上的AlN薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN103022295A ,2013-04-03

[3]

生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法 [P].

李国强 .

中国专利 :CN104037287A ,2014-09-10

[4]

生长在金属Ag衬底上的AlN薄膜及其制备方法、应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN102945898B ,2013-02-27

[5]

一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用 [P].

高芳亮 .

中国专利 :CN111599905A ,2020-08-28

[6]

一种生长在金属铝衬底上的AlN薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN103996610A ,2014-08-20

[7]

生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN115148794B ,2025-09-05

[8]

生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN115148794A ,2022-10-04

[9]

生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法 [P].

李国强 ;

温雷 ;

高芳亮 ;

张曙光 ;

李景灵 ;

管云芳 .

中国专利 :CN104835718B ,2015-08-12

[10]

一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN103035496A ,2013-04-10

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