半导体激光器芯片与硅光芯片的耦合结构及耦合方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910687036.4

申请日：

2019-07-26

公开(公告)号：

CN110401101A

公开(公告)日：

2019-11-01

发明(设计)人：

李金野刘建国戴双兴

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01S5026

IPC分类号：

G02B612

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

吴梦圆

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/026 申请日:20190726
2022-01-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01S 5/026 申请公布日:20191101
2019-11-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种半导体激光器芯片与LNOI光芯片的异构集成结构 [P].

钱广 ;

孔月婵 ;

陈堂胜 .

中国专利 :CN111585166A ,2020-08-25

[2]

面发射激光芯片的半导体激光器及半导体激光器耦合装置 [P].

曹亚运 ;

肖岩 ;

周德来 .

中国专利 :CN110556706A ,2019-12-10

[3]

面发射激光芯片的半导体激光器及半导体激光器耦合装置 [P].

曹亚运 ;

肖岩 ;

周德来 .

中国专利 :CN210838439U ,2020-06-23

[4]

面发射激光芯片的半导体激光器及半导体激光器耦合装置 [P].

曹亚运 ;

肖岩 ;

周德来 .

中国专利 :CN110556706B ,2024-09-10

[5]

光纤与半导体激光器的光耦合结构 [P].

三浦雅和 ;

三代川纯 ;

山岡一树 ;

森肇 .

中国专利 :CN108474918B ,2018-08-31

[6]

半导体激光器芯片、半导体激光器及制造方法 [P].

魏思航 ;

周江昊 ;

刘巍 .

中国专利 :CN121238324A ,2025-12-30

[7]

半导体激光器芯片 [P].

川上俊之 .

日本专利 :CN120642159A ,2025-09-12

[8]

半导体激光器及包含其的光芯片 [P].

陈林 ;

秦毅 ;

杨乐思 .

中国专利 :CN118198861A ,2024-06-14

[9]

半导体激光器及包含其的光芯片 [P].

陈林 ;

付陈忠 ;

彭传艳 .

中国专利 :CN118198862A ,2024-06-14

[10]

多个激光器芯片与硅光芯片端面耦合封装结构及耦合方法 [P].

王胜男 ;

王晓峰 ;

朱兵兵 .

中国专利 :CN115327702A ,2022-11-11

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