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一种采用电化学刻蚀法制备无氟MXene的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110769771.7
申请日：
2021-07-07
公开(公告)号：
CN113461010A
公开(公告)日：
2021-10-01
发明(设计)人：
陈继章 陈敏峰
申请人：
申请人地址：
210037 江苏省南京市龙蟠路159号
IPC主分类号：
C01B3290
IPC分类号：
H01G1124 H01G1130 H01G1186
代理机构：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204
代理人：
冒艳
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-10-26 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 32/90 申请日:20210707
2021-10-01 公开 公开
共 50 条
[1]
一种采用电化学刻蚀制备MXene的方法、MXene及其应用 [P]. 
黄子默 ;
张山青 ;
梁宇皓 ;
陈浩 .
中国专利 :CN118164486A ,2024-06-11
[2]
一种熔融盐精准刻蚀制备MXene材料的电化学方法 [P]. 
邹星礼 ;
田丰 ;
王飞 ;
张学强 ;
陈舜 ;
徐健淋 ;
庞忠亚 ;
余兴 ;
李光石 ;
许茜 ;
鲁雄刚 .
中国专利 :CN117658140A ,2024-03-08
[3]
一种熔融盐精准刻蚀制备MXene材料的电化学方法 [P]. 
邹星礼 ;
田丰 ;
王飞 ;
张学强 ;
陈舜 ;
徐健淋 ;
庞忠亚 ;
余兴 ;
李光石 ;
许茜 ;
鲁雄刚 .
中国专利 :CN117658140B ,2025-11-25
[4]
一种基于电化学刻蚀出MXene的方法、MXene悬浊液及其用途 [P]. 
胡鹏飞 ;
刘钟升 ;
温合静 ;
张星 ;
卞亚涛 ;
张太省 .
中国专利 :CN114737227A ,2022-07-12
[5]
一种基于电化学刻蚀出MXene的方法、MXene悬浊液及其用途 [P]. 
胡鹏飞 ;
刘钟升 ;
温合静 ;
张星 ;
卞亚涛 ;
张太省 .
中国专利 :CN114737227B ,2024-06-07
[6]
一种SiC纳米阵列的电化学刻蚀法制备工艺 [P]. 
牛昌明 ;
杨为佑 .
中国专利 :CN113380616A ,2021-09-10
[7]
一种电化学刻蚀装置及刻蚀方法 [P]. 
吴长征 ;
谢毅 .
中国专利 :CN114639579A ,2022-06-17
[8]
一种电化学制备MXene的方法 [P]. 
殷腾 ;
汤贤 ;
康建龙 .
中国专利 :CN111661848A ,2020-09-15
[9]
采用电化学检测肼的方法 [P]. 
陈国珍 ;
赵锴 ;
任蕊 ;
皇甫慧君 ;
党璐 .
中国专利 :CN114740062B ,2024-05-14
[10]
采用电化学检测肼的方法 [P]. 
陈国珍 ;
赵锴 ;
任蕊 ;
皇甫慧君 ;
党璐 .
中国专利 :CN114740063A ,2022-07-12
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