一种氟化碲化锗二维材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810858883.8

申请日：

2018-07-31

公开(公告)号：

CN110775947A

公开(公告)日：

2020-02-11

发明(设计)人：

封伟张鑫赵付来王宇冯奕钰李瑀

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号

IPC主分类号：

C01B1900

IPC分类号：

代理机构：

天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214

代理人：

王秀奎

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-11	公开	公开
2020-03-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 19/00 申请日:20180731

共 50 条

[1]

一种二维材料碲化锗的制备方法 [P].

李瑀 ;

张盼盼 ;

封伟 .

中国专利 :CN109081315A ,2018-12-25

[2]

二维材料前驱体氢化制备方法 [P].

封伟 ;

张鑫 ;

王宇 ;

赵付来 ;

冯奕钰 ;

李瑀 .

中国专利 :CN110697662B ,2020-01-17

[3]

一种二维层状碲掺杂锗烷及制备方法 [P].

封伟 ;

王宇 ;

冯奕钰 ;

赵付来 ;

张鑫 ;

梁雪静 .

中国专利 :CN112429703A ,2021-03-02

[4]

一种氟化锗化氢二维材料及制备方法 [P].

封伟 ;

王宇 ;

冯奕钰 ;

李瑀 ;

赵付来 ;

张盼盼 .

中国专利 :CN108726557A ,2018-11-02

[5]

碲化镓二维材料的制备方法及二维结构碲化镓柔性透明光探测器的制备方法 [P].

胡平安 ;

李晓超 ;

李俊杰 ;

李晓光 ;

冯伟 ;

王晓娜 ;

王立峰 ;

张甲 .

中国专利 :CN103236469A ,2013-08-07

[6]

一种三元金属原子晶体氢化制备二维材料的方法 [P].

封伟 ;

张鑫 ;

王宇 ;

赵付来 ;

冯奕钰 ;

李瑀 .

中国专利 :CN110713172A ,2020-01-21

[7]

二维材料CaGeTe甲基化制备高性能材料的方法 [P].

封伟 ;

张鑫 ;

赵付来 ;

王宇 ;

冯奕钰 ;

李瑀 .

中国专利 :CN110746452A ,2020-02-04

[8]

二碲化硅二维晶体材料及其制备方法 [P].

宋志朋 ;

路红亮 ;

林晓 ;

高鸿钧 .

中国专利 :CN114855282A ,2022-08-05

[9]

一种无损的图案化二维材料制备方法 [P].

张跃 ;

赵航 ;

张铮 ;

张先坤 ;

陈匡磊 ;

张彦哲 ;

王玉南 ;

田芷毓 ;

曹志宏 .

中国专利 :CN120224751A ,2025-06-27

[10]

一种二维材料制备方法 [P].

王佩剑 ;

王亚哲 ;

潘宝俊 .

中国专利 :CN113265647A ,2021-08-17

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