一种改善溶液法制备的金属氧化物TFT器件性能的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010303112.X

申请日：

2020-04-17

公开(公告)号：

CN111415870A

公开(公告)日：

2020-07-14

发明(设计)人：

宁洪龙张旭姚日晖卢宽宽朱镇南陈俊龙符晓周尚雄袁炜键彭俊彪

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L2134

IPC分类号：

H01L29786

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

罗啸秋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-14	公开	公开
2020-08-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/34 申请日:20200417

共 50 条

[1]

一种溶液法制备金属氧化物TFD的方法 [P].

宁洪龙 ;

梁志豪 ;

姚日晖 ;

周尚雄 ;

梁宏富 ;

张旭 ;

张观广 ;

蔡炜 ;

朱镇南 ;

彭俊彪 .

中国专利 :CN110534434B ,2019-12-03

[2]

一种金属氧化物TFT器件及制造方法 [P].

魏鹏 ;

余晓军 ;

刘自鸿 .

中国专利 :CN104040693B ,2014-09-10

[3]

金属氧化物TFT器件及其制作方法 [P].

翟玉浩 .

中国专利 :CN107104150A ,2017-08-29

[4]

金属氧化物功率器件的制备方法及金属氧化物功率器件 [P].

邱海亮 ;

闻正锋 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106298654B ,2017-01-04

[5]

金属氧化物材料的制备方法、包括金属氧化物材料的光电器件与电子设备 [P].

刘铭恕 .

中国专利 :CN120166902A ,2025-06-17

[6]

金属氧化物胶体溶液的制备方法、薄膜、发光器件 [P].

汪国杰 .

中国专利 :CN114939385A ,2022-08-26

[7]

一种溶液法制备氧化物薄膜晶体管的方法 [P].

宁洪龙 ;

周尚雄 ;

姚日晖 ;

袁炜健 ;

史沐杨 ;

李志航 ;

蔡炜 ;

朱镇南 ;

魏靖林 ;

彭俊彪 .

中国专利 :CN108766889A ,2018-11-06

[8]

纳米金属氧化物的制备方法及该方法制得的纳米金属氧化物 [P].

王宗良 ;

陈建岭 .

中国专利 :CN1613772A ,2005-05-11

[9]

一种溶液法制备三元p型金属氧化物薄膜晶体管的方法 [P].

单福凯 ;

聂生斌 ;

刘奥 ;

朱慧慧 ;

刘国侠 .

中国专利 :CN107017309A ,2017-08-04

[10]

一种勾芡法制备纳米金属氧化物的方法 [P].

姜兴茂 ;

易圣钧 ;

赖品材 ;

陈必义 ;

杨琅 .

中国专利 :CN116062787B ,2025-08-19

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