一种多孔碳化硅原料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110766518.6

申请日：

2021-07-07

公开(公告)号：

CN113264780A

公开(公告)日：

2021-08-17

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3043号哈尔滨松北（深圳龙岗）科技创新产业园12栋1-5楼

IPC主分类号：

C04B3806

IPC分类号：

C04B35565 C04B35622 C04B3563

代理机构：

哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209

代理人：

赵君

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-17	公开	公开
2021-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 38/06 申请日:20210707

共 50 条

[1]

一种多孔碳化硅陶瓷片及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN112851396A ,2021-05-28

[2]

一种放电等离子烧结法制备多孔碳化硅陶瓷的方法 [P].

李庆刚 ;

王志 ;

黄世峰 ;

程新 .

中国专利 :CN106747563A ,2017-05-31

[3]

一种多孔碳化硅陶瓷的制备方法 [P].

李晓丽 ;

戴培赟 ;

王东娟 ;

张吉亮 ;

殷铭良 ;

路金喜 .

中国专利 :CN112851394B ,2021-05-28

[4]

多孔碳化硅陶瓷及其制备方法 [P].

李秋惠 .

中国专利 :CN111635246A ,2020-09-08

[5]

多孔碳化硅陶瓷及其制备方法 [P].

刘国彬 .

中国专利 :CN112759400B ,2021-05-07

[6]

一种梯度多孔碳化硅陶瓷的制备方法 [P].

保玉芝 ;

赵强 ;

李虎 ;

林媛 ;

陈晓军 ;

段春雷 ;

赵文林 ;

马海军 .

中国专利 :CN117756549B ,2024-08-09

[7]

一种梯度多孔碳化硅陶瓷的制备方法 [P].

保玉芝 ;

赵强 ;

李虎 ;

林媛 ;

陈晓军 ;

段春雷 ;

赵文林 ;

马海军 .

中国专利 :CN117756549A ,2024-03-26

[8]

多孔碳化硅陶瓷的制备方法 [P].

叶枫 ;

刘强 ;

侯赵平 ;

刘仕超 ;

张海礁 .

中国专利 :CN102807391A ,2012-12-05

[9]

一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法 [P].

徐颜峰 ;

陈龙 .

中国专利 :CN107698276A ,2018-02-16

[10]

一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法 [P].

王红洁 ;

王以强 ;

苏磊 ;

彭康 .

中国专利 :CN112939606B ,2021-06-11

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