具有混合源极/漏极区的晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110836520.6

申请日：

2021-07-23

公开(公告)号：

CN113972267A

公开(公告)日：

2022-01-25

发明(设计)人：

李文君谷曼

申请人：

申请人地址：

美国纽约州

IPC主分类号：

H01L29417

IPC分类号：

H01L29423 H01L21336 H01L2978

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司 11314

代理人：

程伟;王锦阳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-25	公开	公开
2022-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/417 申请日:20210723

共 50 条

[1]

具有混合源极/漏极区的晶体管 [P].

李文君 ;

谷曼 .

美国专利 :CN113972267B ,2024-11-29

[2]

源极/漏极区具有外延半导体材料区段的晶体管 [P].

顾四朋 ;

H·贾德森 ;

王海艇 ;

I·班贡 .

美国专利 :CN113451308B ,2025-04-04

[3]

源极/漏极区具有外延半导体材料区段的晶体管 [P].

顾四朋 ;

H·贾德森 ;

王海艇 ;

I·班贡 .

中国专利 :CN113451308A ,2021-09-28

[4]

具有不对称的源极与漏极的晶体管 [P].

李文君 ;

谷曼 ;

朱宝富 .

中国专利 :CN113270484A ,2021-08-17

[5]

具有不对称的源极与漏极的晶体管 [P].

李文君 ;

谷曼 ;

朱宝富 .

美国专利 :CN113270484B ,2024-10-25

[6]

具有集成源极-漏极二极管的晶体管 [P].

A·巴拉 ;

L·弗尔森 .

美国专利 :CN118280987A ,2024-07-02

[7]

具有浅源极/漏极结区的MOS晶体管的制造方法 [P].

李诚宰 ;

赵元珠 ;

朴京完 .

中国专利 :CN1421908A ,2003-06-04

[8]

NMOS晶体管具有凹陷的漏极与源极区而PMOS晶体管的漏极与源极区具有硅/锗材料的CMOS器件 [P].

J·霍尼舒尔 ;

A·魏 ;

U·格里布诺 .

中国专利 :CN101971325A ,2011-02-09

[9]

晶体管源极/漏极触点 [P].

C-J·古 ;

K·萨瑟恩 ;

A·巴兰 ;

P-h·王 ;

B·塞尔 .

中国专利 :CN114597255A ,2022-06-07

[10]

具有可控源极/漏极结构的晶体管 [P].

卢超群 ;

黄立平 .

中国专利 :CN115692478A ,2023-02-03

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