一种钯纳米线有序阵列材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610036639.0

申请日：

2006-07-21

公开(公告)号：

CN100564244C

公开(公告)日：

2007-02-14

发明(设计)人：

程发良汪洪张敏

申请人：

申请人地址：

523106广东省东莞市莞城区步步高学院路251号

IPC主分类号：

B82B300

IPC分类号：

C30B2962

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司

代理人：

陈卫

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-04-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-12-02	授权	授权
2007-02-14	公开	公开
2011-09-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101109523293 IPC(主分类):B82B 3/00 专利号:ZL2006100366390 申请日:20060721 授权公告日:20091202 终止日期:20100721

共 50 条

[1]

半导体纳米线有序阵列分布的制备方法 [P].

邱凯 ;

周天微 ;

左玉华 .

中国专利 :CN104051576A ,2014-09-17

[2]

一种镍锌合金纳米线阵列材料的制备方法 [P].

于美 ;

刘建华 ;

孟世明 ;

李松梅 ;

李英东 .

中国专利 :CN101498050B ,2009-08-05

[3]

有序硅纳米线的制备方法 [P].

石明吉 ;

陈兰莉 ;

丁淑娟 ;

尹应鹏 ;

于家辉 ;

罗鹏晖 .

中国专利 :CN101871116A ,2010-10-27

[4]

一种具有核壳结构的铂镍纳米线有序阵列的制备方法 [P].

汪洪 ;

金峰 ;

李伟 ;

李艳波 .

中国专利 :CN103757680A ,2014-04-30

[5]

一种镍-聚吡咯双层纳米线阵列材料的制备方法 [P].

于美 ;

刘建华 ;

孟世明 ;

李松梅 ;

李英东 ;

刘盼 .

中国专利 :CN101928972B ,2010-12-29

[6]

一种有序硅纳米线阵列的制备方法 [P].

左则文 .

中国专利 :CN103112819A ,2013-05-22

[7]

一种有序金属纳米线阵列的制备方法 [P].

刘敏 ;

梁艳清 ;

陈国柱 .

中国专利 :CN112481660A ,2021-03-12

[8]

一种钯纳米线的制备方法 [P].

张龙 ;

潘龙 ;

刘喜 ;

徐钦锐 .

中国专利 :CN106975754B ,2017-07-25

[9]

一种制备有序硅纳米线阵列的方法 [P].

王珊珊 ;

黄书佳 ;

赵季杰 .

中国专利 :CN114132890A ,2022-03-04

[10]

一种AgSbTe2单晶纳米线阵列的制备方法 [P].

杨友文 ;

李天应 ;

朱文斌 ;

马东明 .

中国专利 :CN103074687B ,2013-05-01

← 1 2 3 4 5 →