超辐射发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280021162.2

申请日：

2012-04-12

公开(公告)号：

CN103503174A

公开(公告)日：

2014-01-08

发明(设计)人：

大野启山中一彦折田贤儿能崎信一郎

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3320

IPC分类号：

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

王成坤;胡建新

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-08	公开	公开
2016-11-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101741213196 IPC(主分类):H01L 33/20 专利申请号:2012800211622 申请公布日:20140108
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101576121937 IPC(主分类):H01L 33/20 专利申请号:2012800211622 申请日:20120412

共 50 条

[1]

超辐射发光二极管 [P].

姚中辉 ;

罗伟 ;

杨国文 .

中国专利 :CN117393666B ,2024-03-22

[2]

超辐射发光二极管 [P].

张军 ;

常进 ;

黄晓东 ;

李林松 .

中国专利 :CN101197407A ,2008-06-11

[3]

超辐射发光二极管 [P].

姚中辉 ;

罗伟 ;

杨国文 .

中国专利 :CN117393666A ,2024-01-12

[4]

超辐射发光二极管的制备方法及超辐射发光二极管 [P].

张建宝 ;

李林森 .

中国专利 :CN117767102A ,2024-03-26

[5]

超辐射发光二极管器件 [P].

张建宝 ;

李林森 .

中国专利 :CN117791291A ,2024-03-29

[6]

一种超辐射发光二极管 [P].

刘占元 ;

陈硕 ;

王爱民 ;

古丽娟 .

中国专利 :CN204927805U ,2015-12-30

[7]

发光二极管 [P].

刘镇 ;

裴小明 .

中国专利 :CN100470860C ,2007-08-22

[8]

发光二极管 [P].

曹文明 ;

欧震 ;

王韦涵 ;

陈建文 .

中国专利 :CN101364621B ,2009-02-11

[9]

发光二极管 [P].

张忠民 ;

徐智鹏 ;

王君伟 .

中国专利 :CN101459163B ,2009-06-17

[10]

发光二极管 [P].

陈锦庆 ;

王文勋 ;

林明魁 ;

张正宜 .

中国专利 :CN201103846Y ,2008-08-20

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