一种超低温漂高电源抑制比带隙基准电压源

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610425611.X

申请日：

2016-06-15

公开(公告)号：

CN106125811B

公开(公告)日：

2016-11-16

发明(设计)人：

彭晓宏曲杨耿淑琴王岢代田慧王宇辰

申请人：

申请人地址：

100124 北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

G05F1567

IPC分类号：

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司 11203

代理人：

沈波

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G05F 1/567 申请日:20160615 授权公告日:20170721 终止日期:20200615
2017-07-21	授权	授权
2016-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101691558179 IPC(主分类):G05F 1/567 专利申请号:201610425611X 申请日:20160615
2016-11-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高电源抑制比低温漂带隙基准电压源 [P].

宋明歆 ;

樊旭尧 ;

杨美中 .

中国专利 :CN108445956A ,2018-08-24

[2]

一种低温漂快速瞬态响应高电源抑制比带隙基准电压源 [P].

唐硕 ;

张国俊 .

中国专利 :CN108427468A ,2018-08-21

[3]

一种高电源抑制比的带隙基准电压源 [P].

徐申 ;

田野 ;

于花 ;

钟锐 ;

刘斯扬 ;

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN103389769B ,2013-11-13

[4]

一种超低温漂的带隙基准电压源 [P].

刘继山 ;

顾蔚如 ;

晏进喜 ;

恽廷华 .

中国专利 :CN113703511B ,2021-11-26

[5]

一种具有高电源抑制比的带隙基准电压源 [P].

吴建辉 ;

吴爱东 ;

林志伦 ;

杜媛 ;

姚芹 ;

李红 ;

陈超 .

中国专利 :CN105388953A ,2016-03-09

[6]

一种高电源抑制比的带隙基准电压源 [P].

贺小勇 ;

吴青华 ;

何俊良 ;

李梦诗 ;

蔡敏 .

中国专利 :CN204759261U ,2015-11-11

[7]

一种高电源抑制比的带隙基准电压源 [P].

贺小勇 ;

吴青华 ;

何俊良 ;

李梦诗 ;

蔡敏 .

中国专利 :CN104932601A ,2015-09-23

[8]

高电源抑制比低温漂的带隙基准源 [P].

李泽宏 ;

杨尚翰 ;

胡任任 ;

杨耀杰 ;

蔡景宜 .

中国专利 :CN110377096B ,2019-10-25

[9]

一种宽输入范围超低温漂带隙基准电压源 [P].

周泽坤 ;

张庆岭 ;

张其营 ;

薛晓满 ;

崔佳男 ;

石跃 ;

明鑫 ;

王卓 ;

张波 .

中国专利 :CN103383585B ,2013-11-06

[10]

一种高电源抑制比低失调的带隙基准电压源 [P].

蔡超波 ;

屈佳琦 ;

宋树祥 .

中国专利 :CN222461954U ,2025-02-11

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