一种基于电致伸缩效应的电场传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810886177.4

申请日：

2018-08-06

公开(公告)号：

CN108957150A

公开(公告)日：

2018-12-07

发明(设计)人：

谭超杨哲李宗燎王家成乐周美龚晓辉

申请人：

申请人地址：

443002 湖北省宜昌市西陵区大学路8号

IPC主分类号：

G01R2912

IPC分类号：

代理机构：

宜昌市三峡专利事务所 42103

代理人：

成钢

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-07	公开	公开
2019-01-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 29/12 申请日:20180806

共 50 条

[1]

一种基于电致伸缩效应的电场传感器 [P].

谭超 ;

杨哲 ;

李宗燎 ;

王家成 ;

乐周美 ;

龚晓辉 .

中国专利 :CN208588778U ,2019-03-08

[2]

一种基于电致伸缩效应的光纤Bragg光栅磁场传感器 [P].

李川 ;

赵成均 ;

王敏吉 ;

陈富云 ;

庄君刚 ;

赵振刚 ;

谢涛 .

中国专利 :CN203587783U ,2014-05-07

[3]

基于磁致伸缩效应的导波传感器 [P].

武新军 ;

丁秀莉 ;

孙鹏飞 .

中国专利 :CN204008561U ,2014-12-10

[4]

基于磁致伸缩效应的导波传感器 [P].

武新军 ;

丁秀莉 ;

孙鹏飞 .

中国专利 :CN104122327A ,2014-10-29

[5]

一种基于磁致伸缩效应的扭矩传感器 [P].

高学绪 ;

李明明 ;

牟星 ;

李纪恒 ;

包小倩 .

中国专利 :CN202329889U ,2012-07-11

[6]

一种基于磁致伸缩效应的应力传感器 [P].

吴凯 ;

李杨 ;

李勃达 ;

李隆 ;

李霞妮 ;

郭昊男 ;

庞阳 .

中国专利 :CN223412850U ,2025-10-03

[7]

一种基于逆磁致伸缩效应的力传感器 [P].

郑小帆 ;

赵年顺 ;

黄芬 ;

吴艳 ;

赵磊 ;

高丽丽 .

中国专利 :CN117589341A ,2024-02-23

[8]

一种基于磁致伸缩效应的光纤磁场传感器 [P].

谢建毫 ;

刘东昌 ;

张建平 .

中国专利 :CN208689154U ,2019-04-02

[9]

基于电致伸缩材料和驻极体材料构造的电场传感器探头 [P].

周云 .

中国专利 :CN106771676A ,2017-05-31

[10]

一种基于电致伸缩效应的光纤Bragg光栅磁场传感器及其使用方法 [P].

李川 ;

赵成均 ;

王敏吉 ;

陈富云 ;

庄君刚 ;

赵振刚 ;

谢涛 .

中国专利 :CN103645447A ,2014-03-19

← 1 2 3 4 5 →