制备单分散硫化镉空心球的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410016496.8

申请日：

2004-02-20

公开(公告)号：

CN1559911A

公开(公告)日：

2005-01-05

发明(设计)人：

谢荣国李东升杨德仁

申请人：

申请人地址：

310027浙江省杭州市西湖区玉古路20号

IPC主分类号：

C01G1102

IPC分类号：

C03C1722 C03C1500

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司

代理人：

韩介梅

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-11-09	授权	授权
2005-01-05	公开	公开
2005-03-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-04-22	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)

共 50 条

[1]

制备单分散硫化镉－二氧化硅核壳结构的方法 [P].

杨德仁 ;

谢荣国 ;

李东升 ;

蒋民华 .

中国专利 :CN1579994A ,2005-02-16

[2]

纳米级硫化镉空心球的制备方法 [P].

包建春 ;

张杰 ;

戴志晖 .

中国专利 :CN1792811A ,2006-06-28

[3]

一种单分散硫化镉纳米球的制备方法 [P].

曹丽云 ;

张钦峰 ;

黄剑锋 ;

吴建鹏 ;

费杰 ;

卢靖 ;

李翠艳 .

中国专利 :CN102951675A ,2013-03-06

[4]

一种制备空心球状硫化镉纳米晶的方法 [P].

祝华云 ;

张孝彬 ;

糜裕宏 ;

周胜名 ;

周丽娜 ;

牛强 ;

谭俊军 ;

崔白雪 ;

程继鹏 ;

刘芙 ;

许国良 .

中国专利 :CN101319404A ,2008-12-10

[5]

一种纳米硫化镉空心球的液相制备方法 [P].

李村 ;

吴振玉 ;

徐洪耀 .

中国专利 :CN101058437B ,2007-10-24

[6]

导电聚吡咯纳米空心球的制备方法 [P].

刘小鹤 ;

吴泓毅 ;

邱冠周 .

中国专利 :CN101165092A ,2008-04-23

[7]

一种改性空心硫化镉光催化还原剂及其制备方法与应用 [P].

高翔鹏 ;

何梦婷 ;

闫勃婷 ;

李义新 ;

李明阳 ;

张浩 ;

辛藜莉 .

中国专利 :CN120662381A ,2025-09-19

[8]

单分散介孔二氧化硅空心球材料的制备方法 [P].

刘玉普 .

中国专利 :CN113200550A ,2021-08-03

[9]

制备金属-陶瓷双层空心球的方法 [P].

历长云 ;

高琦 ;

王亚松 ;

许磊 ;

唐玲 ;

姜琳 ;

徐杰 ;

陈正 ;

成小乐 .

中国专利 :CN120483769A ,2025-08-15

[10]

一种FeVO4空心球的制备方法 [P].

曾毅 ;

王贺楠 ;

乔靓 .

中国专利 :CN113511688A ,2021-10-19

← 1 2 3 4 5 →