一种生长二维纳米片原位制备金属高分散催化剂的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811403170.9

申请日：

2018-11-23

公开(公告)号：

CN109621961B

公开(公告)日：

2019-04-16

发明(设计)人：

赵丹连危洁戴奔陈博郑振伟张宁

申请人：

申请人地址：

330031 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号

IPC主分类号：

B01J23755

IPC分类号：

B01J23745 B01J2375 B01J2372

代理机构：

南昌新天下专利商标代理有限公司 36115

代理人：

施秀瑾

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-16	公开	公开
2019-05-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B01J 23/755 申请日:20181123
2021-11-19	授权	授权

共 50 条

[1]

一种二维纳米片层加氢催化剂的制备方法 [P].

陈日志 ;

周娜 ;

姜红 ;

刘业飞 ;

邢卫红 .

中国专利 :CN111744550A ,2020-10-09

[2]

一种贵金属负载二维纳米片光催化剂的制备方法 [P].

李菊英 ;

张月超 ;

钱正芳 ;

丁腾达 ;

钱毅光 ;

高小中 ;

程亚楠 ;

黄晓桐 ;

潘伟杰 .

中国专利 :CN112337455A ,2021-02-09

[3]

一种二维纳米光催化剂的制备方法 [P].

张勇 ;

张清雨 ;

魏琴 ;

王晓东 ;

孙旭 .

中国专利 :CN106179416A ,2016-12-07

[4]

低温SCR锰钴二维纳米片脱硝催化剂及其制备和应用 [P].

袁群富 ;

辛志玲 ;

郭晏乐 .

中国专利 :CN113769755A ,2021-12-10

[5]

一种二维纳米片状光催化剂的制备方法 [P].

张勇 ;

魏琴 ;

胡丽华 ;

闫良国 ;

孙旭 .

中国专利 :CN105642331B ,2016-06-08

[6]

一种二维纳米片异质结电催化剂及其制备方法和应用 [P].

闫明磊 ;

刘文纲 ;

张俊杰 ;

任俣骁 ;

孙一淞 ;

赵洋 ;

曾赟 .

中国专利 :CN117446920A ,2024-01-26

[7]

一种二维纳米片异质结电催化剂及其制备方法和应用 [P].

闫明磊 ;

刘文纲 ;

张俊杰 ;

任俣骁 ;

孙一淞 ;

赵洋 ;

曾赟 .

中国专利 :CN117446920B ,2024-08-16

[8]

无载体PtPdPb合金二维纳米片催化剂及其制备方法和应用 [P].

杨龙 ;

祖荣艳 ;

杨紫萱 ;

杨延雄 ;

滕英跃 ;

何伟艳 .

中国专利 :CN118099456A ,2024-05-28

[9]

一种原位刻蚀制备MXene二维纳米片的方法 [P].

曲婕 ;

苏忠 ;

赖超 .

中国专利 :CN113896199A ,2022-01-07

[10]

一种金属有机框架二维纳米片及其制备方法 [P].

石乃恩 ;

闫鸿钰 ;

顾大庆 ;

罗青 ;

丁震 ;

黄维 .

中国专利 :CN110387048A ,2019-10-29

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