半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610884437.5

申请日：

2016-10-10

公开(公告)号：

CN107919323A

公开(公告)日：

2018-04-17

发明(设计)人：

徐建华邓浩

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L27088 H01L2951

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高静;吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-17	公开	公开
2018-05-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20161010
2021-06-08	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

邓浩 ;

徐建华 .

中国专利 :CN109285879A ,2019-01-29

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

金吉松 .

中国专利 :CN114649331A ,2022-06-21

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN112309845A ,2021-02-02

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

张城龙 ;

崔龙 ;

涂武涛 .

中国专利 :CN112151381B ,2024-08-23

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

张城龙 ;

崔龙 ;

涂武涛 .

中国专利 :CN112151381A ,2020-12-29

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107591366A ,2018-01-16

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN111293118A ,2020-06-16

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

金吉松 .

中国专利 :CN115602717A ,2023-01-13

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

金吉松 .

中国专利 :CN115602726A ,2023-01-13

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

涂武涛 ;

谭程 ;

纪世良 .

中国专利 :CN117855143A ,2024-04-09

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