一种基于复合硅半球/石墨烯宽带太赫兹超材料吸收器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110403946.2

申请日：

2021-04-15

公开(公告)号：

CN113078479B

公开(公告)日：

2021-07-06

发明(设计)人：

张铭孟宪睿王如志王长昊席宇鹏李赛楠张持严辉王波

申请人：

申请人地址：

100124 北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

H01Q1700

IPC分类号：

H01Q1500 G02B500

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司 11203

代理人：

刘萍

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-09	授权	授权
2021-07-06	公开	公开
2021-07-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01Q 17/00 申请日:20210415

共 50 条

[1]

一种砷化镓/石墨烯复合超材料太赫兹宽带吸收器 [P].

张铭 ;

孟宪睿 ;

王如志 ;

王长昊 ;

席宇鹏 ;

李赛楠 ;

张持 .

中国专利 :CN113809544A ,2021-12-17

[2]

一种基于L型结构的宽带太赫兹超材料吸收器 [P].

严辉 ;

吕晶 ;

袁瑞玚 ;

宋雪梅 ;

耿超 ;

张铭 ;

王如志 ;

汪浩 ;

王波 ;

侯育冬 ;

朱满康 ;

刘晶冰 .

中国专利 :CN104360424A ,2015-02-18

[3]

基于镂空结构的宽带可调太赫兹超材料吸收器 [P].

付麦霞 ;

王金义 ;

杨鹏须 ;

叶玉超 ;

夏娜 .

中国专利 :CN114498069A ,2022-05-13

[4]

宽带石墨烯太赫兹可调吸收器 [P].

李九生 ;

李绍和 .

中国专利 :CN108899657A ,2018-11-27

[5]

一种可调谐的太赫兹石墨烯超材料吸收器 [P].

贺训军 ;

姚远 ;

杨玉强 ;

杨文龙 ;

吴丰民 ;

姜久兴 .

中国专利 :CN107799906A ,2018-03-13

[6]

一种石墨烯可调宽带太赫兹吸收器 [P].

胡丹 ;

王红燕 ;

张进峰 .

中国专利 :CN110794492A ,2020-02-14

[7]

一种基于全介质的光学透明太赫兹超材料宽带吸收器 [P].

凌芳 ;

胡鹏 ;

赵宇鑫 ;

邓鑫 .

中国专利 :CN119253297A ,2025-01-03

[8]

基于超材料太赫兹吸收器 [P].

赵泽江 .

中国专利 :CN207587978U ,2018-07-06

[9]

基于石墨烯的双频太赫兹吸收器 [P].

赵泽江 .

中国专利 :CN207587977U ,2018-07-06

[10]

一种基于石墨烯的太赫兹双宽带可调吸收器 [P].

胡丹 ;

王红燕 ;

刘子潇 .

中国专利 :CN111697346A ,2020-09-22

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