半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910222162.9

申请日：

2009-11-18

公开(公告)号：

CN101764186A

公开(公告)日：

2010-06-30

发明(设计)人：

裴贞赫

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L3338

IPC分类号：

H01L3340

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

顾晋伟;王春伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-30	公开	公开
2013-09-25	授权	授权
2010-08-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005084158 IPC(主分类):H01L 33/38 专利申请号:2009102221629 申请日:20091118
2020-10-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/38 申请日:20091118 授权公告日:20130925 终止日期:20191118

共 50 条

[1]

半导体发光器件 [P].

朴炯兆 .

中国专利 :CN101874308A ,2010-10-27

[2]

半导体发光器件 [P].

沈相均 .

中国专利 :CN101771123A ,2010-07-07

[3]

半导体发光器件 [P].

中村淳一 ;

中津弘志 .

中国专利 :CN1086249C ,1997-10-01

[4]

半导体发光器件 [P].

丁换熙 .

中国专利 :CN101740686A ,2010-06-16

[5]

半导体发光器件 [P].

郑畴溶 .

中国专利 :CN103441199B ,2013-12-11

[6]

半导体发光器件 [P].

裴贞赫 .

中国专利 :CN101740699A ,2010-06-16

[7]

半导体发光器件 [P].

丁焕熙 .

中国专利 :CN101807638A ,2010-08-18

[8]

半导体发光器件 [P].

金省均 .

中国专利 :CN101826582B ,2010-09-08

[9]

半导体发光器件 [P].

朴炯兆 .

中国专利 :CN101740698B ,2010-06-16

[10]

半导体发光器件 [P].

丁换熙 .

中国专利 :CN101740687A ,2010-06-16

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