单晶多孔九硒化二钒纳米片阵列电催化材料及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710045222.9
申请日
2017-01-19
公开(公告)号
CN106835190B
公开(公告)日
2017-06-13
发明(设计)人
王煜 许海涛 张慧娟
申请人
申请人地址
400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
IPC主分类号
C25B1103
IPC分类号
C25B1106 C25B104
代理机构
重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211
代理人
谭春艳
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
一维硒化钼电催化材料及其制备方法与应用 [P]. 
彭祥 ;
谢松 ;
熊时健 .
中国专利 :CN114229804A ,2022-03-25
[2]
具有纳米多孔结构和氧空位的超薄纳米片阵列电催化材料 [P]. 
刘熙俊 ;
罗俊 ;
丁轶 .
中国专利 :CN105332003A ,2016-02-17
[3]
一种二硒化铼/碳纳米纤维复合电催化材料及其制备方法 [P]. 
赖飞立 ;
刘天西 ;
楚凯斌 ;
秦静静 .
中国专利 :CN111318288A ,2020-06-23
[4]
一种富含硒空位的钒掺杂硒化钴纳米片阵列及其制备方法和应用 [P]. 
叶宁 ;
杨翠 ;
陶凯 .
中国专利 :CN120291126A ,2025-07-11
[5]
一种硒化钴异质结电催化材料及其制备方法与应用 [P]. 
熊礼威 ;
邱云帆 ;
彭祥 ;
熊时健 ;
蔡东睿 .
中国专利 :CN114908371A ,2022-08-16
[6]
蜂窝状硒化镍纳米片阵列电极材料及其制备方法 [P]. 
杜卫民 ;
杜路路 ;
赵俊红 ;
许志献 ;
李强 .
中国专利 :CN107818873A ,2018-03-20
[7]
一种镍铁硒纳米片阵列材料及其应用 [P]. 
刘敏 ;
胡建根 ;
钱洲亥 ;
毛南平 .
中国专利 :CN112007666A ,2020-12-01
[8]
一种单胞厚度纳米多孔四氧化三钴纳米片阵列电催化材料 [P]. 
刘熙俊 ;
罗俊 .
中国专利 :CN106025302A ,2016-10-12
[9]
纳米多孔复合电催化材料及其制备方法和应用 [P]. 
刘攀 ;
周裕民 ;
王鑫垚 ;
欧阳子 ;
周艳方 ;
王彦月 ;
杜昊 .
中国专利 :CN119913551A ,2025-05-02
[10]
二硒化钨纳米片的制备方法 [P]. 
陈远富 ;
王新强 ;
戚飞 ;
郑斌杰 ;
贺加瑞 ;
周金浩 ;
张万里 .
中国专利 :CN105776154A ,2016-07-20