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半导体器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201710337969.1
申请日：
2017-05-15
公开(公告)号：
CN107464815A
公开(公告)日：
2017-12-12
发明(设计)人：
三原龙善
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L2711568
IPC分类号：
H01L2711573
H01L29423
H01L2966
H01L2978
H01L2128
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
李辉;张昊
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2017-12-12 | 公开 | 公开 |
| 2019-12-24 | 发明专利申请公布后的视为撤回 | 发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 27/11568 申请公布日:20171212 |