共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
半导体结构的形成方法及半导体结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010730710.5
申请日：
2020-07-27
公开(公告)号：
CN113990870A
公开(公告)日：
2022-01-28
发明(设计)人：
吴承恩
申请人：
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L27108
IPC分类号：
H01L4902
代理机构：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260
代理人：
成丽杰
法律状态：
公开
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-01-28 | 公开 | 公开 |
| 2022-02-18 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20200727 |