超结型沟槽功率MOSFET器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080038077.8

申请日：

2010-08-27

公开(公告)号：

CN102549753B

公开(公告)日：

2012-07-04

发明(设计)人：

Y·高凯尔·特里尔德瓦·帕塔纳亚克 K·陈 T·周莎伦·石 Q·陈

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L29812

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

陈源;张天舒

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-04	公开	公开
2015-02-25	授权	授权
2012-09-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101328909782 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2010800380778 申请日:20100827

共 50 条

[1]

超结型沟槽功率MOSFET器件的制造 [P].

Y·高 ;

凯尔·特里尔 ;

德瓦·帕塔纳亚克 ;

K·陈 ;

T·周 ;

莎伦·石 ;

Q·陈 .

中国专利 :CN103098219A ,2013-05-08

[2]

沟槽型MOSFET器件及沟槽型MOSFET器件的制造方法 [P].

任娜 ;

王宝柱 ;

盛况 ;

徐弘毅 ;

吴九鹏 ;

王珩宇 .

中国专利 :CN117637844A ,2024-03-01

[3]

沟槽型MOSFET [P].

史蒂文·皮克 ;

菲尔·鲁特 .

中国专利 :CN115377185A ,2022-11-22

[4]

用于超级结型MOSFET器件的边缘端接 [P].

德瓦·N·帕塔纳亚克 .

中国专利 :CN104011871A ,2014-08-27

[5]

超结型沟槽功率MOSFET器件及其制备方法 [P].

杨东 ;

林河北 ;

郑方伟 ;

李龙 ;

杜永琴 .

中国专利 :CN107302023A ,2017-10-27

[6]

内嵌沟槽式功率MOSFET [P].

穆罕默德·恩·达维希 ;

曾军 ;

苏世宗 .

中国专利 :CN202695449U ,2013-01-23

[7]

一种超结开关器件 [P].

吴玉舟 ;

禹久泓 ;

郭霄 .

中国专利 :CN118825077A ,2024-10-22

[8]

沟槽型功率MOSFET器件 [P].

遇寒 ;

徐向明 ;

马彪 .

中国专利 :CN103872126B ,2014-06-18

[9]

沟槽型功率MOSFET器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

刘晶晶 .

中国专利 :CN205789991U ,2016-12-07

[10]

SiC衬底上的GaN垂直沟槽功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

刘纪美 ;

朱仁强 ;

李家纶 .

中国专利 :CN120640735A ,2025-09-12

← 1 2 3 4 5 →