横向晶体管及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201210590639.0
申请日
2012-12-31
公开(公告)号
CN103022140B
公开(公告)日
2013-04-03
发明(设计)人
乔伊·迈克格雷格
申请人
申请人地址
611731 四川省成都市高新西区出口加工区(西区)科新路8号
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L2940 H01L21336
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
王波波
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
横向高压晶体管及其制造方法 [P]. 
唐纳徳·迪斯尼 ;
欧力杰·米力克 .
中国专利 :CN102738241A ,2012-10-17
[2]
横向晶体管 [P]. 
乔伊·迈克格雷格 .
中国专利 :CN203205426U ,2013-09-18
[3]
横向双扩散晶体管及其制造方法 [P]. 
陆阳 ;
韩广涛 ;
葛薇薇 .
中国专利 :CN111092123A ,2020-05-01
[4]
横向双扩散晶体管及其制造方法 [P]. 
韩广涛 .
中国专利 :CN111710720B ,2020-09-25
[5]
横向双扩散晶体管及其制造方法 [P]. 
韩广涛 .
中国专利 :CN111710719A ,2020-09-25
[6]
横向双扩散晶体管及其制造方法 [P]. 
葛薇薇 .
中国专利 :CN111710722B ,2020-09-25
[7]
横向双扩散晶体管及其制造方法 [P]. 
葛薇薇 .
中国专利 :CN111710723B ,2020-09-25
[8]
横向双扩散晶体管及其制造方法 [P]. 
葛薇薇 .
中国专利 :CN112909091A ,2021-06-04
[9]
横向双扩散晶体管及其制造方法 [P]. 
陈斌 .
中国专利 :CN112599599B ,2021-04-02
[10]
横向DMOS晶体管及其制造方法 [P]. 
李相容 .
中国专利 :CN101714577A ,2010-05-26