一种稀土掺杂氟化物基双向转换发光材料及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810434203.X
申请日
2018-05-08
公开(公告)号
CN108384541A
公开(公告)日
2018-08-10
发明(设计)人
柏朝晖 马小易 孙海鹰 刘洪伟 米晓云 刘全生 张希艳 王晓春 王能利 卢利平
申请人
申请人地址
130022 吉林省长春市卫星路7089号
IPC主分类号
C09K1166
IPC分类号
代理机构
北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙) 11548
代理人
李静
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
上转换发光稀土Lu基氟化物材料及其制备方法 [P]. 
曹春燕 ;
谢安 .
中国专利 :CN106479501B ,2017-03-08
[2]
一种氟化物基稀土离子掺杂可见-紫外上转换发光材料及其制备方法和应用 [P]. 
杨艳民 ;
张伟 ;
吴建红 .
中国专利 :CN104927864A ,2015-09-23
[3]
一种稀土掺杂氟化物上转换发光纳米分散体的制备方法 [P]. 
王丹 ;
冷静柠 ;
蒲源 ;
王洁欣 ;
陈建峰 .
中国专利 :CN107556998A ,2018-01-09
[4]
一种稀土掺杂氟化物上转换发光纳米粉体的制备方法 [P]. 
钟诚 .
中国专利 :CN109666482A ,2019-04-23
[5]
一种钴离子掺杂的稀土氟化物上转换发光材料及其制备方法和应用 [P]. 
谢晓峰 ;
朱少奇 ;
孙静 ;
陆冠宏 ;
王焱 .
中国专利 :CN117821067B ,2025-08-12
[6]
一种钴离子掺杂的稀土氟化物上转换发光材料及其制备方法和应用 [P]. 
谢晓峰 ;
朱少奇 ;
孙静 ;
陆冠宏 ;
王焱 .
中国专利 :CN117821067A ,2024-04-05
[7]
一种稀土掺杂硅酸锂钇上转换发光材料及其制备方法 [P]. 
胡俊山 ;
韩雪 ;
吕永星 ;
朱道斌 .
中国专利 :CN119736085A ,2025-04-01
[8]
一种稀土掺杂上转换发光材料及其制备方法 [P]. 
邹华 ;
黄玉凤 ;
王锋 ;
陈冰 ;
胡益丰 ;
朱小芹 .
中国专利 :CN110713833A ,2020-01-21
[9]
一种稀土掺杂玻璃频率转换发光材料及制备方法 [P]. 
胡曰博 ;
邱建备 .
中国专利 :CN103666475A ,2014-03-26
[10]
一种稀土掺杂氟化锆铯基上转换发光纳米材料及其制备方法 [P]. 
刘敏 ;
付虎辉 ;
胡长河 ;
张焱森 .
中国专利 :CN113481005A ,2021-10-08