一种氮化镓基HEMT器件的制备方法及氮化镓基HEMT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810694477.2

申请日：

2018-06-29

公开(公告)号：

CN109037153A

公开(公告)日：

2018-12-18

发明(设计)人：

李亦衡张葶葶朱廷刚朱友华

申请人：

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市国泰北路1号科技创业园

IPC主分类号：

H01L218232

IPC分类号：

H01L218258 H01L2186 H01L27085 H01L2712

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

孙仿卫

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-18	公开	公开
2021-07-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/8232 申请公布日:20181218
2019-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8232 申请日:20180629

共 50 条

[1]

硅基氮化镓HEMT器件及其制造方法 [P].

梁帅 ;

樊永辉 ;

许明伟 ;

樊晓兵 .

中国专利 :CN117497412A ,2024-02-02

[2]

一种氮化镓基HEMT器件及其制备方法及芯片 [P].

陈涛 ;

黄汇钦 .

中国专利 :CN115663017B ,2025-08-01

[3]

一种氮化镓基HEMT器件及其制备方法及芯片 [P].

陈涛 ;

黄汇钦 .

中国专利 :CN115663017A ,2023-01-31

[4]

一种常闭型氮化镓/氮化铝镓基HEMT器件 [P].

李亦衡 ;

张葶葶 ;

朱廷刚 ;

朱友华 .

中国专利 :CN108899367A ,2018-11-27

[5]

一种氮化镓基二极管器件、制备方法及氮化镓HEMT [P].

刘涛 ;

黄汇钦 .

中国专利 :CN115602710A ,2023-01-13

[6]

氮化镓HEMT器件结构 [P].

程海英 ;

周泽阳 .

中国专利 :CN216871976U ,2022-07-01

[7]

一种硅基氮化镓HEMT器件及其制备方法 [P].

伊艾伦 ;

欧欣 ;

周民 .

中国专利 :CN116705605B ,2024-06-18

[8]

一种氮化镓基HEMT器件及其制作方法 [P].

江灵荣 ;

王玮竹 ;

任芳 .

中国专利 :CN119132953A ,2024-12-13

[9]

一种氮化镓的制备方法及氮化镓基器件 [P].

王柏斌 ;

赵德刚 ;

梁锋 ;

杨静 ;

陈平 ;

刘宗顺 .

中国专利 :CN113488374A ,2021-10-08

[10]

一种氮化镓的制备方法及氮化镓基器件 [P].

王柏斌 ;

赵德刚 ;

梁锋 ;

杨静 ;

陈平 ;

刘宗顺 .

中国专利 :CN113488374B ,2024-07-30

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