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半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010192561.1
申请日：
2020-03-18
公开(公告)号：
CN113497139A
公开(公告)日：
2021-10-12
发明(设计)人：
王楠
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2906
H01L21336
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
徐文欣
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-10-29 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20200318 |
| 2021-10-12 | 公开 | 公开 |