蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01140819.7

申请日：

2001-09-19

公开(公告)号：

CN1191613C

公开(公告)日：

2003-03-26

发明(设计)人：

吴燕萍何岳风

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01L213213 H01L2128

代理机构：

上海专利商标事务所

代理人：

任永武

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-08	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请日:20010919 授权公告日:20050302
2005-03-02	授权	授权
2003-03-26	公开	公开
2002-01-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

多晶硅层的蚀刻方法 [P].

桂林春 ;

赵志勇 ;

林奕琼 .

中国专利 :CN102087963A ,2011-06-08

[2]

形成多晶硅层的方法 [P].

彭佳添 .

中国专利 :CN1585089A ,2005-02-23

[3]

形成多晶硅的方法 [P].

F·马扎穆托 .

中国专利 :CN106030759A ,2016-10-12

[4]

蚀刻多晶硅的方法 [P].

S·M·比洛迪奥 ;

D·怀特 .

美国专利 :CN119563000A ,2025-03-04

[5]

多晶硅的蚀刻方法 [P].

铃木民人 .

中国专利 :CN1494117A ,2004-05-05

[6]

多晶硅的制造方法、多晶硅的制造装置、和多晶硅 [P].

漆原诚 ;

水岛一树 .

中国专利 :CN101956232B ,2011-01-26

[7]

多晶硅和多晶硅的选择方法 [P].

宫尾秀一 ;

祢津茂义 .

中国专利 :CN107083566A ,2017-08-22

[8]

多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块 [P].

宫尾秀一 ;

冈田淳一 ;

祢津茂义 .

中国专利 :CN106414325A ,2017-02-15

[9]

多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块 [P].

宫尾秀一 ;

冈田淳一 ;

祢津茂义 .

中国专利 :CN110482555A ,2019-11-22

[10]

采用多晶硅还原系统生产多晶硅的方法及多晶硅还原系统 [P].

吕海花 ;

孙运德 ;

刘丹丹 ;

胡启红 ;

王倩 ;

陈媛 .

中国专利 :CN107352545A ,2017-11-17

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