耐等离子体构件、其制造方法及形成热喷涂涂层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410103813.X

申请日：

2004-10-15

公开(公告)号：

CN1648102A

公开(公告)日：

2005-08-03

发明(设计)人：

小林庆朗市岛雅彦横山优

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C04B3510

IPC分类号：

C04B4185 H01L213065 H01L2168 C23C1650

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

林柏楠;刘金辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-08-03	公开	公开
2007-11-14	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更变更事项:专利权人变更前:东芝陶瓷股份有限会社变更后:科发伦材料株式会社变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本东京都
2005-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-12-06	授权	授权
2011-12-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101156319389 IPC(主分类):C04B 35/10 专利号:ZL200410103813X 申请日:20041015 授权公告日:20061206 终止日期:20101015

共 50 条

[1]

热喷涂粉末、形成热喷涂涂层的方法以及抗等离子体构件 [P].

伊部博之 ;

青木功 ;

北村顺也 ;

水野宏昭 ;

小林义之 ;

长山将之 .

中国专利 :CN102965610A ,2013-03-13

[2]

热喷涂粉末、形成热喷涂涂层的方法以及抗等离子体构件 [P].

伊部博之 ;

青木功 ;

北村顺也 ;

水野宏昭 ;

小林义之 ;

长山将之 .

中国专利 :CN101173345B ,2008-05-07

[3]

等离子体热喷涂被膜及其制备方法以及耐等离子体构件 [P].

洪基源 ;

郑东勋 .

韩国专利 :CN120026271A ,2025-05-23

[4]

热喷涂涂层形成方法 [P].

伊藤俊树 ;

吉村幸三 ;

寺亮之介 ;

都外川真志 ;

二宫泰德 .

中国专利 :CN101921980A ,2010-12-22

[5]

热喷涂粉末、热喷涂方法及热喷涂涂层的形成方法 [P].

北村顺也 ;

五日市刚 ;

太和田聪 .

中国专利 :CN1760409A ,2006-04-19

[6]

热喷涂粉末、热喷涂方法及热喷涂涂层的形成方法 [P].

加藤伸映 ;

大泽悟 ;

五日市刚 .

中国专利 :CN1792469A ,2006-06-28

[7]

悬浮等离子体热喷涂用浆料组合物、其制备方法及悬浮等离子体热喷涂涂膜 [P].

李省勳 ;

郑彩钟 ;

郑东勳 ;

任昌成 ;

郑在任 ;

方晟植 .

中国专利 :CN115516124A ,2022-12-23

[8]

导电、耐等离子体的构件 [P].

前田孝雄 ;

牧野勇一 ;

中野瑞 ;

植原一郎 .

中国专利 :CN101135033A ,2008-03-05

[9]

热喷涂用粉末及热喷涂涂层的形成方法 [P].

北村顺也 ;

伊部博之 ;

杉山嘉一 .

中国专利 :CN1940119A ,2007-04-04

[10]

耐等离子体构件 [P].

小林庆朗 ;

市岛雅彦 ;

横山优 .

中国专利 :CN100381390C ,2005-02-09

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