晶体管和用于制作晶体管的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811419446.2

申请日：

2015-01-07

公开(公告)号：

CN109461702A

公开(公告)日：

2019-03-12

发明(设计)人：

J·H·张

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯州

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L2910 H01L21336 H01L29786 H01L29165 H01L2978

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华;董典红

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-12	公开	公开
2019-04-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20150107

共 50 条

[1]

晶体管的制造方法和晶体管 [P].

小泉翔平 ;

杉崎敬 ;

川上雄介 .

中国专利 :CN105706220B ,2016-06-22

[2]

晶体管和用于制造晶体管的方法 [P].

W.达韦斯 .

中国专利 :CN105283959A ,2016-01-27

[3]

晶体管和晶体管的制造方法 [P].

辻幸洋 .

日本专利 :CN118693041A ,2024-09-24

[4]

晶体管的制备方法和晶体管 [P].

熊诗圣 ;

陈佳文 .

中国专利 :CN118782639A ,2024-10-15

[5]

MOS晶体管的制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101930923A ,2010-12-29

[6]

绝缘栅晶体管、晶体管电路、晶体管装置及晶体管的操作方法 [P].

J·M·香农 ;

E·G·格尔斯特纳 .

中国专利 :CN100385677C ,2005-09-28

[7]

制造有机晶体管的方法和有机晶体管 [P].

汉斯·克勒曼 ;

扬·布洛赫维茨-尼莫特 ;

格雷戈尔·施瓦茨 .

中国专利 :CN106463621A ,2017-02-22

[8]

晶体管结构、半导体结构及制作晶体管结构的方法 [P].

蔡武卫 ;

陈海清 .

中国专利 :CN115312583A ,2022-11-08

[9]

晶体管结构和晶体管的制作方法 [P].

黄北洲 .

中国专利 :CN108054214A ,2018-05-18

[10]

晶体管、制造晶体管的方法和包括晶体管的电子装置 [P].

金尚昱 ;

金善日 ;

金昌桢 ;

朴宰彻 .

中国专利 :CN102104072A ,2011-06-22

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