一维二氧化锰材料及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910495189.9

申请日：

2019-06-06

公开(公告)号：

CN110171851B

公开(公告)日：

2019-08-27

发明(设计)人：

李会泉高奥雷李少鹏孙振华

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村北二条1号

IPC主分类号：

C01G4502

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

刘歌

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-26	授权	授权
2019-09-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 45/02 申请日:20190606
2019-08-27	公开	公开

共 50 条

[1]

改性二氧化锰正极材料及其制备方法和应用 [P].

瞿佰华 ;

刘艺鹏 ;

王东 ;

王敬丰 ;

潘复生 .

中国专利 :CN120955128A ,2025-11-14

[2]

二氧化锰-二氧化钌复合材料及其制备方法和应用 [P].

黄富强 ;

支键 ;

尹浩 .

中国专利 :CN104973630A ,2015-10-14

[3]

二氧化锰电极及其制备方法和应用 [P].

赵俊善 ;

张明 ;

施佚涵 ;

李继涛 ;

杨定宇 .

中国专利 :CN115036142A ,2022-09-09

[4]

三维立体二氧化锰电极材料及其制备方法和应用 [P].

胡赏 ;

李小鹏 ;

孙予罕 ;

张豪杰 ;

林超 ;

杜福平 .

中国专利 :CN107768778A ,2018-03-06

[5]

二氧化锰@二氧化锰亚微米球及其制备方法 [P].

付永胜 ;

高翔宇 ;

汪信 ;

查道松 ;

彭长青 .

中国专利 :CN107799317A ,2018-03-13

[6]

二氧化锰纳米棒的制备方法和应用 [P].

周明杰 ;

邓惠仁 ;

王要兵 .

中国专利 :CN103153870B ,2013-06-12

[7]

多孔纳米二氧化锰、多孔纳米二氧化锰基掺杂材料及其制备方法 [P].

李庆余 ;

崔李三 ;

赖飞燕 ;

李玉 ;

陈家荣 ;

吴永生 ;

吴强 ;

张晓辉 ;

黄有国 ;

王红强 .

中国专利 :CN103803653A ,2014-05-21

[8]

一种镉改性二氧化锰正极材料及其制备方法和应用 [P].

刘强 ;

朱文静 .

中国专利 :CN109768262B ,2019-05-17

[9]

二氧化锰介孔材料及其制备方法 [P].

刘宗怀 ;

袁佳琦 .

中国专利 :CN101343080A ,2009-01-14

[10]

γ晶型二氧化锰的制备方法、γ晶型二氧化锰及其应用 [P].

李有桂 ;

张瑞 ;

冯银茂 ;

吴祥 ;

朱成峰 ;

吴启童 ;

王文兵 .

中国专利 :CN111268738A ,2020-06-12

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