铌酸锂单晶基板及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201680033983.6
申请日
2016-06-08
公开(公告)号
CN107683353A
公开(公告)日
2018-02-09
发明(设计)人
梶谷富男
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
C30B2930
IPC分类号
C30B3302
代理机构
隆天知识产权代理有限公司 72003
代理人
李英艳;张永康
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
铌酸锂单晶基板及其制造方法 [P]. 
梶谷富男 .
中国专利 :CN107636213B ,2018-01-26
[2]
铌酸锂单晶基板及其制造方法 [P]. 
梶谷富男 .
中国专利 :CN107636214B ,2018-01-26
[3]
铌酸锂单晶基板及其制造方法 [P]. 
梶谷富男 .
中国专利 :CN107636212A ,2018-01-26
[4]
铌酸锂单晶基板的制造方法 [P]. 
梶谷富男 .
中国专利 :CN108138357A ,2018-06-08
[5]
铌酸锂基板及其制造方法 [P]. 
梶谷富男 ;
角田隆 .
中国专利 :CN1332077C ,2005-06-01
[6]
钽酸锂单晶基板的制造方法 [P]. 
阿部淳 .
中国专利 :CN106948005B ,2017-07-14
[7]
钽酸锂单晶基板的制造方法 [P]. 
阿部淳 .
中国专利 :CN107201544A ,2017-09-26
[8]
钽酸锂单晶基板的制造方法 [P]. 
阿部淳 ;
加藤公二 .
中国专利 :CN114318538A ,2022-04-12
[9]
铌酸锂单晶、铌酸锂单晶的制造方法以及AR眼镜 [P]. 
山木亮太 ;
小见利行 .
日本专利 :CN121195093A ,2025-12-23
[10]
钽酸锂基板及其制造方法 [P]. 
梶谷富男 ;
角田隆 .
中国专利 :CN1856597A ,2006-11-01