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成像装置、成像传感器及生产成像传感器的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN200710143713.3
申请日
:
2004-09-30
公开(公告)号
:
CN101102410A
公开(公告)日
:
2008-01-09
发明(设计)人
:
永岛道芳
今田胜巳
西胁青儿
申请人
:
申请人地址
:
日本大阪府
IPC主分类号
:
H04N5225
IPC分类号
:
H01L27146
代理机构
:
永新专利商标代理有限公司
代理人
:
胡建新
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2009-08-26
授权
授权
2008-02-27
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-01-09
公开
公开
共 50 条
[1]
成像像素及成像传感器
[P].
尼拉弗·德哈里阿
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
尼拉弗·德哈里阿
;
帕万·吉尔霍特拉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
帕万·吉尔霍特拉
.
中国专利
:CN207340033U
,2018-05-08
[2]
成像传感器
[P].
F·卡克林
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
F·卡克林
;
J·M·雷诺
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
J·M·雷诺
.
中国专利
:CN212752434U
,2021-03-19
[3]
成像传感器
[P].
A.图恩-霍恩斯坦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
A.图恩-霍恩斯坦
;
H.莱德
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
H.莱德
;
W.L.瓦格纳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
W.L.瓦格纳
.
中国专利
:CN113167900A
,2021-07-23
[4]
成像传感器
[P].
A.图恩-霍恩斯坦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
埃里斯红外线高智力传感器有限责任公司
埃里斯红外线高智力传感器有限责任公司
A.图恩-霍恩斯坦
;
H.莱德
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
埃里斯红外线高智力传感器有限责任公司
埃里斯红外线高智力传感器有限责任公司
H.莱德
;
W.L.瓦格纳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
埃里斯红外线高智力传感器有限责任公司
埃里斯红外线高智力传感器有限责任公司
W.L.瓦格纳
.
德国专利
:CN113167900B
,2025-01-14
[5]
图像传感器、成像装置及成像方法
[P].
曾元清
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
曾元清
.
中国专利
:CN107147886A
,2017-09-08
[6]
热成像传感器
[P].
大卫·托马斯·布里顿
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
大卫·托马斯·布里顿
;
马尔吉特·黑廷
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
马尔吉特·黑廷
.
中国专利
:CN104185780A
,2014-12-03
[7]
压力成像传感器
[P].
颜福才
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
颜福才
.
中国专利
:CN103763482B
,2014-04-30
[8]
成像装置及其生产方法、便携设备、以及成像传感器及其生产方法
[P].
永岛道芳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
永岛道芳
;
今田胜巳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
今田胜巳
;
西胁青儿
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
西胁青儿
.
中国专利
:CN1739287A
,2006-02-22
[9]
成像装置、传感器及成像控制装置
[P].
汤舟秀太
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
索尼半导体解决方案公司
索尼半导体解决方案公司
汤舟秀太
.
日本专利
:CN117859341A
,2024-04-09
[10]
热成像传感器、传感器以及热成像设备
[P].
M·E·卡斯塔尼亚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
M·E·卡斯塔尼亚
;
G·布鲁诺
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
G·布鲁诺
.
中国专利
:CN217214722U
,2022-08-16
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