一种多孔SnO2纳米线束的合成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010589343.8

申请日：

2010-12-15

公开(公告)号：

CN102080261B

公开(公告)日：

2011-06-01

发明(设计)人：

武祥韩玉涛宫丽红

申请人：

申请人地址：

150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区和兴路50号

IPC主分类号：

C30B2916

IPC分类号：

C30B2962 C30B714 C30B102 C01G1902

代理机构：

哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109

代理人：

韩末洙

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101597013781 IPC(主分类):C30B 29/16 专利号:ZL2010105893438 申请日:20101215 授权公告日:20121121 终止日期:20131215
2012-11-21	授权	授权
2011-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101088327435 IPC(主分类):C30B 29/16 专利申请号:2010105893438 申请日:20101215
2011-06-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种SnO2纳米线阵列的制备方法 [P].

闫军锋 ;

许曼章 ;

张凤姣 ;

张志勇 ;

贠江妮 ;

赵武 ;

张偲元 ;

邓周虎 ;

王雪文 ;

翟春雪 .

中国专利 :CN105236472A ,2016-01-13

[2]

SnO2纳米棒有序阵列纳米材料的合成及其应用 [P].

赵鹤云 ;

蒋秋萍 ;

李跃华 .

中国专利 :CN103183376B ,2013-07-03

[3]

一种空心SnO2纳米球的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108975387A ,2018-12-11

[4]

一种空心纳米SnO2气敏材料的制备方法 [P].

王琼 ;

李超群 ;

何诗琪 ;

杨梓民 ;

李格格 ;

张青松 .

中国专利 :CN114180619A ,2022-03-15

[5]

一种快速高效的银纳米线合成方法 [P].

颜光清 ;

王立 ;

桂磊 ;

俞豪杰 ;

李晓晓 .

中国专利 :CN101934377A ,2011-01-05

[6]

一种多孔纳米SnO2薄膜气敏材料的制备方法 [P].

王超 ;

贺纪桦 ;

梁莹林 ;

杨萍 ;

栾春红 ;

姜晶 ;

杨雄峰 .

中国专利 :CN105803502A ,2016-07-27

[7]

多孔NiO/SnO2纳米复合气敏材料的制备方法 [P].

陈红林 ;

谷文 ;

井华 .

中国专利 :CN112479272A ,2021-03-12

[8]

一种银纳米线的快速高浓度合成方法 [P].

王会才 ;

张晓清 .

中国专利 :CN102423808A ,2012-04-25

[9]

一种快速生长SnO2纳米片的方法 [P].

杨为家 ;

刘铭全 ;

刘俊杰 ;

何鑫 ;

张弛 .

中国专利 :CN109179491B ,2019-01-11

[10]

多孔碳化钼纳米线的合成方法 [P].

唐颐 ;

高庆生 ;

张亚红 .

中国专利 :CN101367521A ,2009-02-18

← 1 2 3 4 5 →