过渡金属硫属化合物晶体的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010763310.4

申请日：

2020-07-31

公开(公告)号：

CN114059157B

公开(公告)日：

2022-02-18

发明(设计)人：

李昊吴扬范守善

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室

IPC主分类号：

C30B2508

IPC分类号：

C30B2514 C30B2946

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-18	公开	公开
2022-03-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/08 申请日:20200731
2022-12-13	授权	授权

共 50 条

[1]

过渡金属硫属化合物复合材料及其制备方法和应用 [P].

唐永炳 ;

张阁 ;

欧学武 .

中国专利 :CN110690419B ,2020-01-14

[2]

用于层状过渡金属硫属化合物层的组合物及形成层状过渡金属硫属化合物层的方法 [P].

金海龙 ;

申铉振 ;

朴晟准 .

中国专利 :CN106065466A ,2016-11-02

[3]

一种金属性过渡金属硫属化合物薄膜的制备方法 [P].

张秀梅 ;

杨国锋 ;

霍新霞 ;

陈国庆 ;

谷燕 .

中国专利 :CN115652276A ,2023-01-31

[4]

一种金属性过渡金属硫属化合物薄膜的制备方法 [P].

张秀梅 ;

杨国锋 ;

霍新霞 ;

陈国庆 ;

谷燕 .

中国专利 :CN115652276B ,2024-10-01

[5]

一种过渡金属硫属化合物的制备方法 [P].

郭胜平 ;

郭国聪 ;

邹建平 .

中国专利 :CN101376492A ,2009-03-04

[6]

多孔型石墨烯/过渡金属硫属化合物薄膜的制备方法 [P].

冯立纲 ;

郁旭 ;

裴晨刚 .

中国专利 :CN109036877A ,2018-12-18

[7]

一种金属助熔剂法生长过渡金属硫属化合物晶体的方法 [P].

陶绪堂 ;

张西霞 ;

王善朋 .

中国专利 :CN104846428B ,2015-08-19

[8]

过渡金属硫属化合物中空多孔纳米片的制备方法及其应用 [P].

张兵 ;

张芳 ;

赵为为 ;

黄义 ;

许蕊 .

中国专利 :CN106698365A ,2017-05-24

[9]

晶圆级过渡金属硫属化合物及其制备装置和方法 [P].

张广宇 ;

余画 ;

王硕培 ;

李娜 ;

黄良峰 ;

周兰英 .

中国专利 :CN118581445B ,2025-10-28

[10]

晶圆级过渡金属硫属化合物及其制备装置和方法 [P].

张广宇 ;

余画 ;

王硕培 ;

李娜 ;

黄良峰 ;

周兰英 .

中国专利 :CN118581445A ,2024-09-03

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