含铜空位和氧空位的金属氧化物材料及其制备方法和应用

被引：0

申请号：

CN202210926849.6

申请日：

2022-08-03

公开(公告)号：

CN115414941A

公开(公告)日：

2022-12-02

发明(设计)人：

钟燕黄涛胡朝浩王殿辉桑湉

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号

IPC主分类号：

B01J2378

IPC分类号：

B01J3500 C02F130 C02F10136

代理机构：

桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107

代理人：

唐智芳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-02	公开	公开
2022-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B01J 23/78 申请日:20220803

共 50 条

[1]

含铜空位和氧空位的金属氧化物材料及其制备方法和应用 [P].

钟燕 ;

黄涛 ;

胡朝浩 ;

王殿辉 ;

桑湉 .

中国专利 :CN115414941B ,2024-02-13

[2]

一种氧空位可调控锰铈氧化物材料及其制备方法和应用 [P].

孔令涛 ;

何军勇 ;

杨雅 ;

刘锦淮 .

中国专利 :CN112973673B ,2021-06-18

[3]

氧空位型金属氧化物半导体的制备方法 [P].

赵彩凤 ;

杨亚辉 ;

罗琳 ;

邵赛 ;

邵颖 ;

张乐平 .

中国专利 :CN110560022A ,2019-12-13

[4]

一种碳载金属氧化物材料及其制备方法和应用 [P].

李朝霞 ;

温伊博 ;

王彦斌 ;

苏琼 ;

赵向飞 ;

王永胜 ;

田运凤 ;

代雨 .

中国专利 :CN120210858A ,2025-06-27

[5]

一种铁氧体/金属氧化物材料及其制备方法和应用 [P].

朱凯新 ;

王军虎 .

中国专利 :CN106140173A ,2016-11-23

[6]

一种氧空位修饰的多孔镍钴氧化物纳米带材料及制备方法和应用 [P].

张勇 ;

姚尚智 ;

吴玉程 ;

张雪茹 ;

崔接武 ;

王岩 ;

秦永强 ;

舒霞 ;

周志尚 .

中国专利 :CN112058267A ,2020-12-11

[7]

一种含有氧空位金属氧化物及其制备方法、应用 [P].

王健宜 ;

高艳安 ;

黄迢 ;

任昭玮 ;

胡晓莉 ;

胡慧 ;

苏晓芳 .

中国专利 :CN120117650A ,2025-06-10

[8]

一种富氧空位铜基纳米材料及其制备方法和应用 [P].

李春忠 ;

李会会 ;

靳茂全 ;

沈永峻 ;

杨赛武 ;

毛小青 .

中国专利 :CN119287468A ,2025-01-10

[9]

金属氧化物催化水分解的氧空位反应路径和活性筛选方法 [P].

李铮 ;

高超 .

中国专利 :CN118629526A ,2024-09-10

[10]

氮掺杂与氧空位协同调控的锰基氧化物及其制备方法和应用 [P].

郑新华 ;

刘世凯 ;

韩碧波 .

中国专利 :CN121225657A ,2025-12-30

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