NMOS器件制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210208991.3

申请日：

2012-06-21

公开(公告)号：

CN102751196B

公开(公告)日：

2012-10-24

发明(设计)人：

徐强

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

陆花

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101367523324 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012102089913 申请日:20120621
2012-10-24	公开	公开
2015-06-10	授权	授权

共 50 条

[1]

NMOS器件制作方法 [P].

徐强 .

中国专利 :CN102709195A ,2012-10-03

[2]

NMOS器件制作方法 [P].

徐强 .

中国专利 :CN102709193A ,2012-10-03

[3]

NMOS器件制作方法 [P].

徐强 .

中国专利 :CN102751197B ,2012-10-24

[4]

NMOS器件制作方法 [P].

徐强 .

中国专利 :CN102709194A ,2012-10-03

[5]

NMOS器件制作方法 [P].

徐强 .

中国专利 :CN102709244A ,2012-10-03

[6]

NMOS器件的制作方法及以其制作的半导体器件 [P].

任小兵 ;

熊伟 ;

陈华伦 ;

钱文生 ;

胡君 .

中国专利 :CN111129156A ,2020-05-08

[7]

薄膜沉积设备及NMOS器件的制作方法 [P].

李金榜 ;

胡彬彬 ;

郑海峰 .

中国专利 :CN119553236A ,2025-03-04

[8]

金属电极的制作方法及NMOS器件 [P].

陶欣 ;

郭晓清 ;

曾招钦 ;

鲍宇 .

中国专利 :CN119132939A ,2024-12-13

[9]

NMOS晶体管的制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101630642A ,2010-01-20

[10]

NMOS晶体管的制作方法 [P].

何有丰 ;

唐兆云 ;

白杰 .

中国专利 :CN101740390A ,2010-06-16

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