具有高机械强度的介电材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310007865.6

申请日：

2013-01-09

公开(公告)号：

CN103199056A

公开(公告)日：

2013-07-10

发明(设计)人：

S·M·盖茨 A·格里尔 E·T·赖恩

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23532

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

于静;张亚非

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101719112631 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2013100078656 申请公布日:20130710
2013-07-10	公开	公开
2013-08-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101503525237 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2013100078656 申请日:20130109

共 50 条

[1]

去除硅片表面低介电材料的方法 [P].

刘文燕 ;

李芳 ;

方精训 .

中国专利 :CN103295881B ,2013-09-11

[2]

具有薄化介电材料的结构 [P].

R·鲍 ;

T·安多 ;

A·达斯古普塔 ;

K·赵 ;

U·权 ;

S·A·克里希南 .

中国专利 :CN106601739A ,2017-04-26

[3]

介电材料 [P].

胡安·帕布鲁·希内斯特罗萨萨拉扎 ;

拉加拉姆·克里斯南 ;

斯科特·康拉德逊 ;

泰勒·李·哈里斯 ;

罗伯特·保罗·特纳 ;

乔治·马如尔·托马斯 .

中国专利 :CN112654431A ,2021-04-13

[4]

用于高K介电材料的界面层 [P].

肖恩·G·托马斯 ;

怕普·D·马尼尔 ;

维达·依尔德瑞姆 .

中国专利 :CN100481319C ,2007-06-20

[5]

高K介电材料的选择性蚀刻 [P].

裴英德 ;

符谦 ;

李源哲 ;

刘身健 .

中国专利 :CN101556920B ,2009-10-14

[6]

形成多孔超低介电材料的方法 [P].

鲍宇 ;

桑宁波 ;

雷通 .

中国专利 :CN104505344A ,2015-04-08

[7]

沉积介电材料的方法 [P].

巴加夫·S·西特拉 ;

杰思罗·塔诺斯 ;

李景义 ;

小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ;

华忠强 ;

斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ;

怡利·Y·叶 .

中国专利 :CN112673457A ,2021-04-16

[8]

沉积介电材料的方法 [P].

巴加夫·S·西特拉 ;

杰思罗·塔诺斯 ;

李景义 ;

小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ;

华忠强 ;

斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ;

怡利·Y·叶 .

美国专利 :CN119361416A ,2025-01-24

[9]

沉积介电材料的方法 [P].

巴加夫·S·西特拉 ;

杰思罗·塔诺斯 ;

李景义 ;

小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ;

华忠强 ;

斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ;

怡利·Y·叶 .

美国专利 :CN112673457B ,2024-10-18

[10]

具有高ε介电材料或铁电材料的电容器及其制造方法 [P].

G·朗格 ;

T·施勒塞尔 .

中国专利 :CN1143377C ,2000-03-29

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