半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611021412.9

申请日：

2016-11-15

公开(公告)号：

CN107039278A

公开(公告)日：

2017-08-11

发明(设计)人：

林群雄吴忠政卡洛斯·H·迪亚兹王志豪谢文兴许义明

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2908 H01L2910

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101745810135 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2016110214129 申请日:20161115
2020-05-22	授权	授权
2017-08-11	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈文进 ;

吴正一 ;

郑有宏 ;

郭人华 ;

刘响 ;

李锦思 .

中国专利 :CN108231685B ,2018-06-29

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈冠霖 ;

江国诚 ;

朱熙甯 ;

郑嵘健 ;

王志豪 .

中国专利 :CN120091615A ,2025-06-03

[3]

半导体器件结构、半导体器件及其形成方法 [P].

朱家宏 ;

王菘豊 ;

梁顺鑫 ;

张旭凯 ;

时定康 ;

洪宗佑 ;

蔡邦彦 ;

林耕竹 .

中国专利 :CN113488465B ,2025-07-01

[4]

半导体器件结构、半导体器件及其形成方法 [P].

朱家宏 ;

王菘豊 ;

梁顺鑫 ;

张旭凯 ;

时定康 ;

洪宗佑 ;

蔡邦彦 ;

林耕竹 .

中国专利 :CN113488465A ,2021-10-08

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN105336793B ,2016-02-17

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

胡恬 ;

胡毓祥 ;

郭宏瑞 ;

余振华 .

中国专利 :CN111129254B ,2020-05-08

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

林士豪 ;

魏子元 .

中国专利 :CN120711803A ,2025-09-26

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113451307A ,2021-09-28

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

菅原健太 ;

野濑幸则 .

中国专利 :CN110176492A ,2019-08-27

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