电容的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710991684.X

申请日：

2017-10-23

公开(公告)号：

CN109698274B

公开(公告)日：

2019-04-30

发明(设计)人：

张峰溢李甫哲

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L4902

IPC分类号：

H01L27108

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-25	授权	授权
2019-04-30	公开	公开
2020-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 49/02 申请日:20171023

共 50 条

[1]

电容的制作方法 [P].

陈逸男 ;

徐文吉 ;

叶绍文 ;

刘献文 .

中国专利 :CN103377875A ,2013-10-30

[2]

电容器的制作方法 [P].

方三军 ;

朱瑜杰 ;

张冠军 .

中国专利 :CN104752154A ,2015-07-01

[3]

电容器制作方法 [P].

罗飞 ;

邹立 .

中国专利 :CN101996860A ,2011-03-30

[4]

电容结构及其制作方法 [P].

盛超军 ;

陆勇 .

中国专利 :CN114373756B ,2025-05-02

[5]

电容结构及其制作方法 [P].

黄楷珞 ;

李甫哲 ;

张峰溢 ;

陈界得 ;

蔡孟珈 .

中国专利 :CN110707084B ,2020-01-17

[6]

电容器制作方法 [P].

罗飞 ;

邹立 .

中国专利 :CN101989539A ,2011-03-23

[7]

电容结构及其制作方法 [P].

盛超军 ;

陆勇 .

中国专利 :CN114373756A ,2022-04-19

[8]

MIM电容的制作方法 [P].

杨忠博 ;

蒙飞 ;

张培根 .

中国专利 :CN118588682A ,2024-09-03

[9]

电容器的制作方法及电容器 [P].

姚国峰 ;

沈健 ;

皮波 .

中国专利 :CN110168682A ,2019-08-23

[10]

硅电容结构及其制作方法 [P].

张立鹏 ;

洪志临 ;

张三荣 .

中国专利 :CN117766522A ,2024-03-26

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