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一种铈掺杂焦硅酸镥闪烁陶瓷及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201811141723.8
申请日
:
2018-09-28
公开(公告)号
:
CN109053175A
公开(公告)日
:
2018-12-21
发明(设计)人
:
钱安华
申请人
:
申请人地址
:
313200 浙江省湖州市德清县莫干山经济开发区
IPC主分类号
:
C04B3516
IPC分类号
:
C04B35622
C04B35626
C04B3564
代理机构
:
杭州杭诚专利事务所有限公司 33109
代理人
:
尉伟敏
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-05-07
授权
授权
2019-01-15
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/16 申请日:20180928
2018-12-21
公开
公开
共 50 条
[1]
一种铈掺杂焦硅酸镥钪闪烁陶瓷及其制备方法
[P].
钱安华
论文数:
0
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钱安华
.
中国专利
:CN109020543B
,2018-12-18
[2]
织构化铈掺杂硅酸镥闪烁陶瓷及其制备方法
[P].
施鹰
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施鹰
;
范灵聪
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范灵聪
;
谢建军
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谢建军
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雷芳
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雷芳
;
章蕾
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章蕾
.
中国专利
:CN107417276A
,2017-12-01
[3]
铈掺杂硅酸镥闪烁陶瓷及其热等静压烧结制备方法
[P].
施鹰
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施鹰
;
范灵聪
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范灵聪
;
谢建军
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谢建军
;
章蕾
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章蕾
;
江梦晗
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江梦晗
.
中国专利
:CN107555977A
,2018-01-09
[4]
一种镨铈掺杂焦硅酸镥发光材料及其制备方法
[P].
任国浩
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任国浩
;
冯鹤
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冯鹤
;
丁栋舟
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丁栋舟
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潘尚可
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潘尚可
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陆晟
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陆晟
;
张卫东
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张卫东
.
中国专利
:CN102268734A
,2011-12-07
[5]
一种制备掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜的方法
[P].
刘光辉
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刘光辉
;
杨华
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杨华
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刘茜
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刘茜
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魏钦华
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魏钦华
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周真真
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周真真
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卢琦
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卢琦
.
中国专利
:CN104046984B
,2014-09-17
[6]
掺铈焦硅酸镥高温闪烁单晶体的制备方法
[P].
赵广军
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赵广军
;
严成锋
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严成锋
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徐军
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徐军
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夏长泰
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夏长泰
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介明印
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介明印
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何晓明
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何晓明
;
张连翰
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张连翰
.
中国专利
:CN1587447A
,2005-03-02
[7]
一种掺铈焦硅酸镥闪烁纤维及其静电纺丝合成方法
[P].
刘茜
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刘茜
;
卢琦
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卢琦
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刘光辉
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刘光辉
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魏钦华
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魏钦华
.
中国专利
:CN103774282B
,2014-05-07
[8]
铈掺杂硅酸镥球形发光粉体及其制备方法
[P].
施鹰
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施鹰
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范灵聪
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范灵聪
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张园
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张园
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谢建军
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谢建军
;
雷芳
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雷芳
.
中国专利
:CN105176531A
,2015-12-23
[9]
铈掺杂硅酸钇镥晶体的制备方法
[P].
狄聚青
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狄聚青
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朱刘
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朱刘
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刘运连
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刘运连
.
中国专利
:CN107326439A
,2017-11-07
[10]
一种铈掺杂硅酸钇镥晶体的制备方法
[P].
请求不公布姓名
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机构:
中子高新技术产业发展(重庆)有限公司
中子高新技术产业发展(重庆)有限公司
请求不公布姓名
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中子高新技术产业发展(重庆)有限公司
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中子高新技术产业发展(重庆)有限公司
中子高新技术产业发展(重庆)有限公司
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机构:
中子高新技术产业发展(重庆)有限公司
中子高新技术产业发展(重庆)有限公司
请求不公布姓名
.
中国专利
:CN119265704A
,2025-01-07
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