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一种基于光敏半导体材料的磁场探测装置

被引：0
申请号：
CN202111352394.3
申请日：
2021-11-16
公开(公告)号：
CN114295949A
公开(公告)日：
2022-04-08
发明(设计)人：
刘翡琼
申请人：
申请人地址：
710119 陕西省西安市长安区西长安街620号7栋4单元4层2号
IPC主分类号：
G01R3126
IPC分类号：
G01R3306
代理机构：
代理人：
法律状态：
发明专利申请公布后的撤回
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-11-15 发明专利申请公布后的撤回 发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):G01R 31/26 申请公布日:20220408
2022-04-08 公开 公开
共 50 条
[1]
一种基于光敏半导体材料的交变磁场探测装置 [P]. 
刘翡琼 .
中国专利 :CN114487942A ,2022-05-13
[2]
一种基于功函数变化的磁场探测装置 [P]. 
刘翡琼 .
中国专利 :CN114296013A ,2022-04-08
[3]
一种基于形变的磁场探测装置 [P]. 
彭彦莉 .
中国专利 :CN113805118A ,2021-12-17
[4]
一种基于磁致伸缩效应的半导体磁场探测器 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN111580028A ,2020-08-25
[5]
一种半导体材料光敏固化装置 [P]. 
齐文宇 ;
傅国琳 .
中国专利 :CN222939871U ,2025-06-03
[6]
一种光敏半导体材料及其制备方法和应用 [P]. 
刘东 ;
李妮娅 .
中国专利 :CN115403598A ,2022-11-29
[7]
一种内建电场调控型磁场探测装置 [P]. 
刘翡琼 .
中国专利 :CN114296012A ,2022-04-08
[8]
一种基于悬臂梁的高灵敏磁场探测装置 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN112198467A ,2021-01-08
[9]
一种基于半导体材料的粒子像素探测器 [P]. 
张林 ;
张莹 ;
李俊焘 ;
孟英昊 ;
徐星亮 ;
李良辉 .
中国专利 :CN117727765A ,2024-03-19
[10]
一种界面型磁场探测装置 [P]. 
彭彦莉 .
中国专利 :CN113805117A ,2021-12-17
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