低压脉冲磁场作用下细晶金属材料制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810228547.1

申请日：

2008-11-05

公开(公告)号：

CN101733380B

公开(公告)日：

2010-06-16

发明(设计)人：

杨院生汪斌童文辉李应举马晓平冯小辉

申请人：

申请人地址：

110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号

IPC主分类号：

B22D11115

IPC分类号：

B22D100

代理机构：

沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002

代理人：

张志伟

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B22D 11/115 申请日:20081105 授权公告日:20120829 终止日期:20181105
2010-06-16	公开	公开
2012-08-29	授权	授权
2010-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005271996 IPC(主分类):B22D 11/115 专利申请号:2008102285471 申请日:20081105

共 50 条

[1]

低压脉冲磁场与超声复合作用制备金属基复合材料的方法 [P].

杨院生 ;

赵福泽 ;

冯小辉 ;

李应举 ;

罗天骄 .

中国专利 :CN105983682A ,2016-10-05

[2]

一种低压脉冲磁场作用下改善SiC颗粒在镁基复合材料中分布的方法 [P].

陈乐平 ;

刘勇 ;

周全 .

中国专利 :CN103924116A ,2014-07-16

[3]

液态组装法制备超细晶金属材料的系统和超细晶金属材料 [P].

张佼 ;

姜海涛 ;

东青 ;

邢辉 .

中国专利 :CN114433820A ,2022-05-06

[4]

一种低压脉冲磁场净化金属熔体的方法 [P].

冯小辉 ;

杨院生 ;

李应举 ;

罗天骄 ;

黄秋燕 ;

郑策 ;

曹天慧 .

中国专利 :CN114317993B ,2024-11-29

[5]

一种低压脉冲磁场净化金属熔体的方法 [P].

冯小辉 ;

杨院生 ;

李应举 ;

罗天骄 ;

黄秋燕 ;

郑策 ;

曹天慧 .

中国专利 :CN114317993A ,2022-04-12

[6]

制备纳米晶金属材料的方法 [P].

龙康 ;

王胜刚 ;

龙期威 .

中国专利 :CN1190505C ,2003-04-16

[7]

多孔金属材料制备方法 [P].

陈红辉 ;

谢红雨 ;

朱济群 ;

龙文贵 ;

廖丽军 ;

周小平 .

中国专利 :CN102094224A ,2011-06-15

[8]

脉冲磁场作用下原位自生MgB2超导材料的制备方法 [P].

李瑛 ;

朱明原 ;

李文献 ;

金红明 ;

任钟鸣 ;

李喜 ;

窦士学 .

中国专利 :CN100345224C ,2006-02-08

[9]

表层粗晶内部纳米晶或超细晶的梯度金属材料及制备方法 [P].

林耀军 ;

贾兴祺 .

中国专利 :CN110172655B ,2019-08-27

[10]

反复剪切挤压制备超细晶金属材料的装置 [P].

林金保 ;

任伟杰 ;

王灵卉 ;

崔小朝 ;

马永忠 .

中国专利 :CN203917446U ,2014-11-05

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