基于原位电化学-表面增强拉曼光谱芯片的电化学池及其检测方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201410475680.2
申请日
2014-09-18
公开(公告)号
CN104237201A
公开(公告)日
2014-12-24
发明(设计)人
滕渊洁 刘文涵
申请人
申请人地址
310014 浙江省杭州市潮王路18号浙江工业大学科技处
IPC主分类号
G01N2165
IPC分类号
代理机构
浙江英普律师事务所 33238
代理人
王晓雯
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
基于原位电化学-表面增强拉曼光谱芯片的电化学池 [P]. 
滕渊洁 ;
刘文涵 .
中国专利 :CN204536205U ,2015-08-05
[2]
原位电化学-表面增强拉曼光谱芯片 [P]. 
滕渊洁 ;
刘文涵 .
中国专利 :CN204630934U ,2015-09-09
[3]
原位电化学‑表面增强拉曼光谱芯片及其生产方法 [P]. 
滕渊洁 ;
刘文涵 .
中国专利 :CN104502322B ,2015-04-08
[4]
原位电化学-表面增强拉曼光谱检测系统 [P]. 
滕渊洁 ;
刘文涵 .
中国专利 :CN204302186U ,2015-04-29
[5]
原位电化学-表面增强拉曼光谱检测系统及其检测方法 [P]. 
滕渊洁 ;
刘文涵 .
中国专利 :CN104215624A ,2014-12-17
[6]
超高压环境下电化学原位拉曼光谱检测的原位电化学池 [P]. 
谢科予 ;
沈超 ;
马力 .
中国专利 :CN115586173A ,2023-01-10
[7]
电化学原位拉曼光谱反应池 [P]. 
于书文 ;
靳艳 .
中国专利 :CN115508425A ,2022-12-23
[8]
原位电化学拉曼池 [P]. 
方琳 ;
吴亚龙 ;
胡子恒 ;
邓丁榕 ;
樊晓红 ;
翁建春 ;
吴启辉 .
中国专利 :CN307764351S ,2022-12-30
[9]
高压拉曼电化学池 [P]. 
苗宁 ;
黄伟峰 ;
魏航 ;
范辉 ;
陈兴 .
中国专利 :CN217237723U ,2022-08-19
[10]
一种高频升温电化学-表面增强拉曼光谱检测系统 [P]. 
汤儆 ;
谢文昌 ;
凌云 ;
张亚真 ;
潘鹤 ;
李梦凯 .
中国专利 :CN108132238A ,2018-06-08